MBE選択成長法によるGaAs/AlGaAs量子細線の形成とその結合ネットワークへの応用
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概要
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GaAs(001)面加工基板上へのMBE選択成長法を用いて、GaAs/AlGaAs結合量子細線ネットワークの形成を試みた。ネットワーク構造の基本方向となる<-110>方向に沿った量子細線を形成し、成長プロセスの最適化を行った結果、矢印形のGaAs量子細線が、(113)面からなるAlGaAsリッジ構造頂上部に選択的に形成されることが分かった。SEM、PL法による評価結果から、GaAs細線の幅は下地のAlGaAs層の成長量で制御可能であり、非常に均一な細線構造が形成可能であることがわかった。さらに、ヘキサゴナル量子細線ネットワーク構造について検討した結果、<-110>方向と<510>方向量子細線の組み合わせが適していることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-21
著者
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学
-
玉井 功
北海道大学大学院情報科学研究科
-
玉井 功
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター
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