MBE選択成長法によるヘキサゴナルGaAs細線ネットワークの作製と評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
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概要
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MBE選択成長法を用いてGaAs(001)、(111)B加工基板上に、GaAsリッジ細線およびヘキサゴナル細線ネットワークの形成を試みた。メサストライプ加工基板上にAlGaAs/GaAs/AlGaAs構造を成長すると、AlGaAsリッジ頂上部に選択的に埋め込み型GaAs細線が形成される。GaAsリッジ細線の幅は、リッジを構成する2つの結晶面の材料成長速度の差から幾何学的に決定され、初期基板の加工寸法と成長条件により制御可能であることが明らかとなった。(001)面上では<-110>方向と2つの<510>方向細線、(111)B面上では対称な3つの<-1-12>方向細線を組み合わせることにより、広範囲にわたって均一なGaAsヘキサゴナル細線ネットワークが形成可能であることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-06
著者
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学
-
玉井 功
北海道大学大学院情報科学研究科
-
玉井 功
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻:量子集積エレクトロニクス研究センター
-
吉田 崇一
北海道大学工学部
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