InGaAsリッジ量子細線ネットワーク構造形成とそのデバイス応用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
分子線エピタキシ(MBE)選択成長法を用いてInP加工基板上へ形成したInGaAsリッジ量子細線六角形ネットワーク構造のデバイス応用について議論する。<-110>方向量子細線と<100>-および<510>-方向の量子細線を組み合わせたInGaAs六角形量子細線ネットワーク構造の作製を行った。低温原子状水素プロセスを用いたMBE選択成長により、節点密度にして10^<8>個/cm^2以上のInGaAs量子細線六角形ネットワーク構造が作製可能であることを示した。また、詳細なAFM、CL による評価から、<-110>方向量子細線と<100>方向、<510>方向量子細線はスムーズな結合でY分岐を形成していることが明らかとなった。また、量子細線の伝導特性評価するために、<-110>量子細線を用いたショットキー・ラップゲート(WPG)型FETを作製して磁気抵抗測定を行い、構造およびWPGによる細線幅の制御について検討を加えた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-22
著者
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
長谷川 英機
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学
-
村中 司
北海道大学工学研究科
-
伊藤 章
北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻
-
江 潮
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
伊藤 章
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻
-
江 潮
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
関連論文
- InP加工基板上へのMBE選択成長によるInGaAs/InAlAs量子細線および量子ドットの形成
- RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 化合物半導体電子デバイス及び関連材料研究の歴史的発展と将来展望(電子デバイス,エレクトロニクスソサイエティ和文論文誌500号記念論文)
- 電気化学プロセスによる化合物半導体ショットキー接合の形成と界面制御
- 電気化学プロセスによる金属ドットアレイの作製
- MBE選択成長法によるInP系量子細線ネットワークの高密度集積化(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナル二分決定グラフ量子回路方式による高密度III-V族化合物半導体量子集積回路
- InGaAsリッジ量子細線ネットワーク構造形成とそのデバイス応用
- MBE選択成長によるInGaAsリッジ量子構造の作製とそのデバイス応用
- MBE選択成長InGaAsリッジ量子細線の微細構造評価
- C-10-12 MBE選択成長によるInGaAs結合量子構造の形成
- 化合物半導体界面におけるバンドアラインメントとフェルミ準位ピンニング
- ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
- 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析(量子ナノデバイスと回路応用)
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 量子ドットアレイによるグラフ論理システム
- 量子ドットアレイによるグラフ論理システム
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ゲートレス型AlGaN/GaN HEMTを利用した溶液センサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 量子細線ネットワークと論理回路応用
- MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- 電気化学プロセスを用いたナノショットキー電極の形成と電気的評価
- 電気化学プロセスを用いたナノショットキー電極の形成と電気的評価
- DLTS法によるInGaAs MIS構造の評価
- ナノエレクトロニクスと表面科学
- GaAs(111)B基板上に形成されたAlGaAs/GaAs量子構造のSi界面制御層による表面不活性化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
- 低消費電力量子ナノ集積回路のためのショットキーラップゲート制御量子細線および単電子トランジスタのスイッチング特性解析(量子ナノデバイスと回路応用)
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InP系高速デバイス用多層エピタキシャル構造のSi超薄膜による表面不活性化
- Si超薄膜界面制御層を用いたInGaAs MISFETの製作とその電気的特性の評価
- 新しいゲート構造を有する化合物半導体単電子デバイスの製作と評価
- MBE選択成長法によるInP系量子細線ネットワークの高密度集積化(量子効果デバイス及び関連技術)
- (4×6)Ga安定化面上に形成したSi及びGaN界面制御層によるGaAs(001)表面不活性化とその評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- GaAs(001)Ga安定化面に形成したSi超薄膜のSTMによる評価
- GaAs(001)Ga安定化面に形成したSi超薄膜のSTMによる評価
- インジウムリン系材料への新しいゲート技術
- Si 超薄膜界面制御層を用いた絶縁ゲート InGaAs HEMT の作製と評価
- AlGaN/GaNヘテロ構造を用いたPdショットキー型水素ガスセンサ(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ED2000-98 GaN関連材料の表面・界面の評価と制御
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE選択成長法を用いたAlGaN/GaN細線ネットワークの形成(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETのサブミクロンゲートにおける横方向トンネル輸送過程(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- ヘキサゴナルBDD量子集積回路のための量子細線スイッチの特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナルBDD量子集積回路のための量子細線スイッチの特性(量子効果デバイス及び関連技術)
- Schottky in-plane gate 構造を有する量子デバイス
- 超薄膜Si形成のためのGaAs初期表面の検討とそのパッシベーション効果
- 量子井戸端への直接ショットキー接合の形成とその細線トランジスタへの応用
- 超薄AIO_x膜およびECR-CVD SiN_x膜を用いたAlGaN/GaNヘテロ構造表面の制御
- (111)B加工基板上へのMBE選択成長によるGaAsヘキサゴナル量子細線ネットワークの形成(量子効果デバイス及び関連技術)
- (111)B加工基板上へのMBE選択成長によるGaAsヘキサゴナル量子細線ネットワークの形成(量子効果デバイス及び関連技術)
- MBE選択成長法によるヘキサゴナルGaAs細線ネットワークの作製と評価(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- MBE選択成長法によるGaAsリッジ量子細線の形成とヘキサゴナル細線ネットワークへの応用
- MBE選択成長法によるGaAsリッジ量子細線の形成とヘキサゴナル細線ネットワークへの応用
- MBE選択成長法によるGaAs/AlGaAs量子細線の形成とその結合ネットワークへの応用
- MBE選択成長法によるGaAs/AlGaAs量子細線の形成とその結合ネットワークへの応用
- MBE選択成長InGaAsリッジ量子細線の微細構造評価
- ショットキーIPG/WPG型GaAs量子細線トランジスタの最適化とその応用
- ショットキーIPG/WPG型GaAs量子細線トランジスタの最適化とその応用
- SC-9-9 ショットキーインプレーンゲートおよびラップゲート構造を用いた化合物半導体量子デバイスとその機能集積回路応用
- ヘキサゴナル二分決定グラフ量子回路方式による高密度III-V族化合物半導体量子集積回路
- InGaAsリッジ量子細線ネットワーク構造形成とそのデバイス応用
- MBE選択成長によるInGaAsリッジ量子構造の作製とそのデバイス応用
- n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
- n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
- ヘキサゴナルBDD量子論理回路をベースにした超低消費電力ナノプロセッサの実装(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナルBDD量子論理回路をベースにした超低消費電力ナノプロセッサの実装(量子効果デバイス及び関連技術)
- ヘキサゴナル量子BDD論理サブシステムの設計・実装とナノプロセッサ算術論理演算回路への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- ヘキサゴナル量子BDD論理サブシステムの設計・実装とナノプロセッサ算術論理演算回路への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
- ドライエッチングによる窒化ガリウム系材料のナノ構造形成プロセス
- 不足するアクティビティ : 原因と対策 (物性デバイス研究者からみた電子情報通信学会-1)
- 超高速素子による情報処理の展望(3) : ガリウム砒素半導体素子技術の現状と将来
- 深さ分解CL法によるGaN結晶中のYellow Luminescenceの評価
- 深さ分解CL法によるGaN結晶中のYellow Luminescenceの評価
- 単電子エレクトロニクスの研究動向と展望
- 単電子エレクトロニクスの研究動向と展望
- C-11-2 SOI表面に対する超高真空非接触C-V測定の適用
- QMESFETの提案と試作
- QMESFETの提案と試作
- 化合物半導体ナノ細線ネットワーク制御形二分決定グラフ論理集積回路サブシステムの構築
- 化合物半導体ナノ細線ネットワーク制御形二分決定グラフ論理集積回路サブシステムの構築
- GaAsショットキーラップゲート構造を用いたヘキサゴナル量子BDD集積回路技術
- GaAsショットキーラップゲート構造を用いたヘキサゴナル量子BDD集積回路技術
- GaAsショットキーラップゲートによる単電子BDDデバイス
- GaAsショットキーラップゲートによる単電子BDDデバイス
- ED2000-104 Cu/n-InPコンタクトにおける界面反応と電気的特性との関連
- 化合物半導体量子デバイスの展望と課題
- ED2000-51 / SDM2000-51 化合物半導体量子デバイスの展望と課題
- In-Situ 電気化学プロセスを用いた Pt-Gate InP MESFET の製作
- Si界面制御層によるGaAsショットキー障壁高さの制御とその量子構造への応用
- n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- n-InP基板に対するAl-Mo合金電極のオーミックコンタクト機構(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- n-InP上のCu-Hfアモルファス合金を用いた高安定なオーミックコンタクトの実現