江 潮 | 北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

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概要

• 同名の論文著者
• 北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターの論文著者

関連著者

• 長谷川 英機

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• 長谷川 英機

  北海道大学

• 江 潮

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 江 潮

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 村中 司

  北海道大学工学研究科

• 伊藤 章

  北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻

• 伊藤 章

  北海道大学工学研究科電子情報工学専攻

• 藤倉 序章

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• 長谷川 英機

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 藤倉 序章

  北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター:電子情報工学専攻

• 葛西 誠也

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 高橋 浩

  北海道大学 エネルギー先端工学研究センター

• 謝 永桂

  北海道大学集積界面エレクトロニクス研究センター

• 高橋 賢

  広島市大

• 高橋 賢

  北海道大学大学院工学研究科電子情報工学専攻

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 高橋 浩

  北海道大学大学院工学研究科電子情報工学専攻

• 葛西 誠也

  北海道大学

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著作論文

• InGaAsリッジ量子細線ネットワーク構造形成とそのデバイス応用
• MBE選択成長によるInGaAsリッジ量子構造の作製とそのデバイス応用
• MBE選択成長InGaAsリッジ量子細線の微細構造評価
• C-10-12 MBE選択成長によるInGaAs結合量子構造の形成
• InP系高速デバイス用多層エピタキシャル構造のSi超薄膜による表面不活性化
• InGaAsリッジ量子細線ネットワーク構造形成とそのデバイス応用
• MBE選択成長によるInGaAsリッジ量子構造の作製とそのデバイス応用

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