MBE選択成長InGaAsリッジ量子細線の微細構造評価
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概要
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MBE選択成長InGaAs量子細線構造のSEM, AFM, TEM観察により、InGaAsバッファ層成長初期の島状成長に起因するInAlAsリッジ頂上部の彎曲が、細線不均一性の主要な要因であることを明らかにした。さらに、基板清浄化および成長手順を最適化することにより、島状成長およびリッジの彎曲を完全に抑制し構造の均一性を格段に改善することに成功した。また、TEM/EDX測定において、量子細線自体を含むリッジ構造全体を縦に2分する、幅10-20nmのIn組成が局所的に減少した領域が存在することが示された。この現象は、従来の吸着原子の拡散モデルのみでは説明不可能であり、表面形状による毛管現象と混合の自由エネルギーの効果を考慮することによりはじめて説明可能である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-02-09
著者
-
藤倉 序章
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
長谷川 英機
北海道大学
-
村中 司
北海道大学工学研究科
-
江 潮
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
江 潮
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
藤倉 序章
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター:電子情報工学専攻
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