MBE選択成長によるInGaAsリッジ量子構造の作製とそのデバイス応用
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概要
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様々な種類のInP加工基板へMBE選択成長法を適用することによりInGaAs量子細線やドットを形成し、これらが有機的に結びついたネットワーク構造の作製を行った。低温プロセスとして有望な原子状水素クリーニングを導入し、InP基板と量子構造に与える効果を調べた。このプロセスの利用により、良好なInP/InGaAs界面状態を実現し、モホロジーおよび光学特性の優れた量子構造の形成に成功した。量子細線構造にショットキー・ラップゲート(WPG)を適用して磁気抵抗測定を行った結果、細線は13meV以上の強い電子閉じ込めを有しており、ゲート制御により実効的な細線幅の制御が可能であることが確認された。また、量子細線-ドット結合構造を用いた単電子デバイスを試作してコンダクタンス測定を行ったところ、4.2Kにおいて明瞭な振動ピークが観測された。
- 2001-02-21
著者
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
長谷川 英機
北海道大学
-
村中 司
北海道大学工学研究科
-
伊藤 章
北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻
-
江 潮
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
伊藤 章
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻
-
江 潮
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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