n-InP上のCu-Hfアモルファス合金を用いた高安定なオーミックコンタクトの実現
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概要
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n-InPに対する高安定なオーミックコンタクトを実現するため、Cuべースの合金電極を提案し、Cu-Hfアモルファス合金を用いたCu-Hf/InPコンタクトの電気的特性及び界面反応の詳細を、先のCu-Zr合金膜を用いた場合と比較・検討した。その結果、Cu-Hfアモルファス合金は先のCu-Zrと同様に400℃以上の熱処理後に良好なオーミック特性を示すが、その反応には若干の違いが見られ、Cu-Hf/InP界面にはバリヤハイトのないCu-In層が得られやすいことがわかった。このような反応の違いは、初期反応の違いによるものと推察された。これらの結果から、Cuベースのアモルファス合金膜は、n-InPのオーミック電極として有用な材料の一つとなるものと思われる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-30
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
武山 真弓
北見工業大学電気電子工学科
-
長谷川 英機
北海道大学
-
野矢 厚
北見工業大学工学部電気電子工学科
-
野矢 厚
北見工業大学電気電子工学科
-
坂口 信寿
北見工業大学電気電子工学科
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
武山 真弓
北見工業大学
-
野矢 厚
北見工業大学
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