周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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概要
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ゲート電極直下のみに周期的メサ構造を有する多重台形チャネル(MMC:Multi-Mesa-Channel)HEMTでは、一般的なプレーナ型HEMTと比較して低いKnee電圧と浅いしきい値電圧が得られた。その要因としてMMC構造による相対的なアクセス抵抗の低下と2DEGの囲い込み効果が挙げられる。2DEGの囲い込み効果は細線幅が細くなるほど顕著になり、それに伴ってしきい値電圧が正方向にシフトする。また、MMC HEMTのサブスレッショルド特性を評価したところ小さなサブスレッショルドスロープ、高いドレイン電流オン/オフ比、良好な温度依存性が観測された。このことから、MMC HEMTはプレーナ型HEMTと比較してゲート制御性が向上している。さらにMMC HEMTでは線形領域において高い電流駆動能力、飽和領域において優れた電流安定性が得られた。
- 2010-01-06
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
大井 幸多
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
-
大井 幸多
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻および量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北大量集センター情報科学研究科:jst-crest
-
Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
-
大井 幸多
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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