n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
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概要
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水素終端処理を施したn-Si(001)上に種々の低温プロセスにより、極薄絶縁膜を形成し、界面特性を超高真空対応非接触C-V法およびXPS法を用いて評価した。ドライ熱酸化法では、酸化温度が低くなるに従い、著しく界面準位密度は増加し、ミッドギャップ付近に離散準位が発生することがわかった。ECR-N_2Oプラズマを用いて直接酸窒化により形成した極薄酸窒化膜/Si界面では、400℃の低温プロセスでありながら、比較的良好な界面特性が得られ、低温ドライ熱酸化法では発生した離散準位は観測されなかった。また、900℃のUHVアニールによって界面準位密度は大幅に減少することが明らかになった。
- 2001-02-21
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
赤澤 正道
北海道大学
-
長谷川 英機
北海道大学
-
吉田 俊幸
北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻
-
庄子 亮平
北海道大学工学研究科電子情報工学専攻
-
赤澤 正道
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Akazawa M
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Akazawa Masamichi
Graduate School Of Engineering Hokkaido University
-
Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering And Research Center For Interface Quantu
-
Akazawa Masamichi
Department Of Electrical Engineering Hokkaido University
-
Akazawa Masamichi
Research Center For Interface Quantum Electronics And Department Of Electrical Engineering Hokkaido
-
庄子 亮平
北海道大学 工学研究科電子情報工学専攻
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
赤澤 正道
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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