Schottky in-plane gate 構造を有する量子デバイス

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概要

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• 電気化学プロセスを応用した、新しい量子デバイス構造を製作・評価した結果を報告する。作製したSchottky in-plane gate (IPG)型量子細線は良好なFET特性を示し、低温においてコンダクタンスの量子化が観測された。コンダクタンスの量子化は40Kまで観測され、この構造における良好な電子閉じ込めが示された。さらに、磁場印加時の特性を評価し、Schottky IPGゲートによるチャネル制御機構について議論した。また、このデバイス作製技術を単電子トランジスタ構造に応用し、クーロン振動やクーロンステアケース等の単電子効果を観測した。

• 1995-10-20

著者

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• 岡田 浩

  北海道大学工学研究科電子情報工学専攻・量子界面エレクトロニクス研究センター

• 長谷川 英機

  北海道大学

• 地主 啓一郎

  北海道大学工学研究科 量子界面エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

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