Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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概要
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Al_<0.25>Ga_<0.75>N/GaNおよびn-GaN上にAl_20_3絶縁ゲート構造を作製し、絶縁膜/半導体界面の特性評価を行った。 Al_20_3膜はTri-methyl Aluminum(TMA)とH_2Oを材料とした原子層堆積(ALD)法により250℃で堆積し、N_2ガス中におけるアニール処理を施した。Al_20_3/AlGaN/GaN構造で容量-電圧(C-V)測定を行い、系統的な評価からAl_20_3/AlGaN界面において最小界面準位密度はおよそ〜5×10^<12>cm^<-2>eV^<-1>であると予想された。また、Al_203_/n-GaN構造では光照射を併用しC-V測定を行った。フォトンエネルギーが増加するに従いC-V特性の分散が大きくなり、暗状態におけるC-V特性との比較により、電荷の移動量は界面のmid-gap付近で3×10^<13>cm^<-2>eV^<-1>と見積もられた。
- 2010-01-06
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
水江 千帆子
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
-
堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
水江 千帆子
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
-
堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
-
橋詰 保
北大量集センター情報科学研究科:jst-crest
-
水江 千帆子
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
-
堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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