ED2000-98 GaN関連材料の表面・界面の評価と制御
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概要
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MOVPEで成長したGaNおよびAlGaNに関して、大気に曝された表面、表面処理を施された表面を詳細に評価し、その結果に基づいてGaNの表面パシベーションプロセスについて検討した。大気に曝された表面には多量の自然酸化膜が存在することが分った。特にAlGaN表面ではバルクAlGaNの組成を反映しないAl-richな酸化膜が形成されていた。溶液表面処理およびプラズマ表面処理を詳しく検討した結果、NH_4OH溶液処理、H_2プラズマ処理、N_2プラズマ処理が自然酸化膜除去に効果的でかつ規定表面を得るために有効なプロセスであることを明らかにした。表面処理プロセスとECR CVDによるSiN_x膜堆積プロセスの組み合わせは、GaN表面のパッシベーションプロセスとして有望であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-07-20
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
長谷川 英機
北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野
-
大友 晋哉
北海道大学大学院工学研究科電子情報工学専攻
-
長谷川 英機
北海道大学
-
小山 晋
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター工学研究科電子情報工学専攻
-
中崎 竜介
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター工学研究科電子情報工学専攻
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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