GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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GaN系デバイスの表面・端面制御を目的として、電気化学プロセスによる表面酸化を行ないその特性を評価した。GaN表面の電気化学酸化膜は、Ga_2O_3を主成分とするアモーファス膜であることが明らかになった。この膜はアルカリ性溶液でエッチングできる。ICPドライエッチングで表面近傍に導入された欠陥準位が、電気化学酸化+エッチング処理により回復することが判明し、本手法によりドライエッチング後の表面損傷層を除去できる可能性が示された。次に、酸化膜形成によりGaN表面からのPL強度が増大することが分かった。そこで、酸化膜を形成したn-GaNにMOS構造を作製し、容量法により界面準位密度分布を求めた。ターマン法により見積もった界面準位密度分布は比較的平坦であり、かつ、最小密度5x10^<11>cm^<-2>eV^<-1>という低い値を示し、酸化膜形成によりGaN表面の表面準位が効果的に低減されることが示された。
- 2009-05-07
著者
-
橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
塩崎 奈々子
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
-
Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
-
Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
-
原田 脩央
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
-
塩崎 奈々子
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
-
Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
-
原田 脩央
北大量集センター情報科学研究科
-
橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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