塩崎 奈々子 | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

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概要

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• 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターの論文著者

関連著者

• 塩崎 奈々子

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 塩崎 奈々子

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• 原田 脩央

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 原田 脩央

  北大量集センター情報科学研究科

• Hitosugi Taro

  Department Of Superconductivity University Of Tokyo

• 長谷川 英機

  北海道大学工学研究科、量子界面エレクトロニクス研究センター及び集積電子デバイス工学分野

• 佐藤 威友

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 赤澤 正道

  北海道大学

• 長谷川 英機

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hasegawa Hideki

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Hokkaido University:department Of Electr

• Hasegawa Hideki

  Research Center For Interface Quantum Electronics And Faculty Of Engineering Hokkaido University:fac

• 長谷川 英機

  北海道大学

• Hasegawa H

  自治医科大学 臨床検査医学

• Honda Hideyuki

  The Faculty Of Medical Science And Welfare Tohoku Bunka Gakuen University

• 赤澤 正道

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Akazawa M

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• Akazawa Masamichi

  Graduate School Of Engineering Hokkaido University

• Akazawa Masamichi

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering And Research Center For Interface Quantu

• Akazawa Masamichi

  Department Of Electrical Engineering Hokkaido University

• Akazawa Masamichi

  Research Center For Interface Quantum Electronics And Department Of Electrical Engineering Hokkaido

• 赤澤 正道

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

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著作論文

• GaAs(111)B基板上に形成されたAlGaAs/GaAs量子構造のSi界面制御層による表面不活性化(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
• GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaN表面の電気化学酸化とデバイス表面制御への応用
• 電気化学的プロセスによるGaN表面安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 電気化学的プロセスによるGaN表面安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 光電気化学プロセスによるn-GaN表面の陽極酸化(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)

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