原田 脩央 | 北大量集センター情報科学研究科
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概要
関連著者
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
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Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
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原田 脩央
北大量集センター情報科学研究科
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原田 脩央
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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塩崎 奈々子
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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塩崎 奈々子
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
北大量集センター情報科学研究科:jst-crest
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Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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水江 千帆子
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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水江 千帆子
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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水江 千帆子
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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Takahashi H
Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University
著作論文
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- GaN表面の電気化学酸化とデバイス表面制御への応用
- C-10-4 電気化学酸化による埋込酸化膜ゲートAlGaN/GaN HEMT(C-10.電子デバイス,一般セッション)