橋詰 保 | 北大量集センター情報科学研究科:jst-crest
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概要
関連著者
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橋詰 保
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume T
Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology
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Hashizume Tomihiro
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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Hitosugi Taro
Department Of Superconductivity University Of Tokyo
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橋詰 保
北大量集センター情報科学研究科:jst-crest
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Hashizume T
Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato
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橋詰 保
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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Hashizume Tamotsu
Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &
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Takahashi H
Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University
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水江 千帆子
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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水江 千帆子
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科
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堀 祐臣
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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水江 千帆子
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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大井 幸多
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻
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大井 幸多
北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻および量子集積エレクトロニクス研究センター
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大井 幸多
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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金 聖植
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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金 聖植
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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金 聖植
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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堀 祐臣
北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科
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原田 脩央
北大量集センター情報科学研究科
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掘 祐臣
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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掘 祐臣
北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター
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田島 正文
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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田島 正文
北海道大学
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Yatabe Zenji
Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.
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原田 脩央
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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谷田部 然治
北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター
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橋詰 保
JST-CREST
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谷田部 然治
北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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谷田部 然治
北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター
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野中 聡
旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座
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野中 誠
昭和大学藤が丘病院呼吸器外科
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佐藤 威友
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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吉澤 直樹
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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岡崎 拓行
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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OKAZAKI Hiroyuki
Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University
著作論文
- AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- C-10-4 電気化学酸化による埋込酸化膜ゲートAlGaN/GaN HEMT(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaN電子デバイスにおける絶縁膜界面制御