橋詰 保 | JST-CREST

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概要

• 同名の論文著者
• JST-CRESTの論文著者

関連著者

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• Yatabe Zenji

  Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.

• Hitosugi Taro

  Department Of Superconductivity University Of Tokyo

• 橋詰 保

  北大量集センター情報科学研究科:jst-crest

• Hashizume T

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• 掘 祐臣

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金 聖植

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 谷田部 然治

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  JST-CREST

• 金 聖植

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Takahashi H

  Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University

• 谷田部 然治

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金 聖植

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 谷田部 然治

  北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 掘 祐臣

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

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著作論文

• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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