Hitosugi Taro | Department Of Superconductivity University Of Tokyo

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概要

• 同名の論文著者
• Department Of Superconductivity University Of Tokyoの論文著者

関連著者

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• Hitosugi Taro

  Department Of Superconductivity University Of Tokyo

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

• 橋詰 保

  北大量集センター情報科学研究科:jst-crest

• Hashizume T

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• 水江 千帆子

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• Takahashi H

  Department Of Electrical And Electronic Engineering And Computer Science Graduate School Of Science And Engineering Ehime University

• 大井 幸多

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻

• 堀 祐臣

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 大井 幸多

  北海道大学大学院情報科学研究科情報エレクトロニクス専攻および量子集積エレクトロニクス研究センター

• 水江 千帆子

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 大井 幸多

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 水江 千帆子

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科

• 堀 祐臣

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• 堀 祐臣

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田島 正文

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田島 正文

  北海道大学

• 原田 脩央

  北大量集センター情報科学研究科

• 堀 祐臣

  北海道大学量子集積エレクトロニクスセンターおよび情報科学研究科

• 原田 脩央

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 金 聖植

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金 聖植

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 金 聖植

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 菅原 克也

  北海道大学

• 掘 祐臣

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 掘 祐臣

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 菅原 克也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 平松 和政

  三重大 工

• 久保 俊晴

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 武富 浩幸

  三重大学工学部

• 小川 恵理

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 塩崎 奈々子

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターおよび情報科学研究科

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• Yatabe Zenji

  Lab. De Thermodyn. Et Energe. Des Flu. Comp. Umr Total Cnrs 5150 Univ.

• 小川 恵理

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:crest-jst

• 武富 浩幸

  三重大学工学部電気電子工学科

• 塩崎 奈々子

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 谷田部 然治

  北海道大学情報科学研究科量子集積エレクトロニクス研究センター

• 橋詰 保

  JST-CREST

• 谷田部 然治

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 谷田部 然治

  北海道大学 大学院情報科学研究科 および 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 誠

  昭和大学藤が丘病院呼吸器外科

• 葛西 誠也

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science And Te

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 佐藤 威友

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• ミツェーク マルチン

  Institute of Phisics, Silesian University of Technology

• 吉澤 直樹

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 岡崎 拓行

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科:北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

• OKAZAKI Hiroyuki

  Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University

• Kasai S

  Graduate School Of Environmental Earth Science Hokkaido University

• ミツェーク マルチン

  Institute Of Phisics Silesian University Of Technology

• 葛西 誠也

  北海道大学 大学院情報科学研究科

• 葛西 誠也

  北大院情報科学および量集センター:jstさきがけ

• 葛西 誠也

  北海道大学大学院情報科学研究科・量子集積エレクトロニクス研究センター:jstさきがけ

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著作論文

• GaNおよびAlGaNの深い電子準位 : 電気的評価結果を中心として(窒化物半導体結晶中の欠陥)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 原子層堆積により形成したAl_2O_3/AlGaN/GaNの界面評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• A binary-decision-diagram-based two-bit arithmetic logic unit on a GaAs-based regular nanowire network with hexagonal topology
• AlGaN/GaN MIS構造におけるC-V特性の解釈(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MgドープGaN表面特性のアニールによる変化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 多重台形ナノチャネルAlGaN/GaN HEMTの電流制御性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaNの表面制御とトランジスタ応用
• 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• 周期的メサゲート構造を有するAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• GaNの電気化学酸化による表面制御(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• ナノ細線チャネルを利用した台形ゲートAlGaN/GaN HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• C-10-4 電気化学酸化による埋込酸化膜ゲートAlGaN/GaN HEMT(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN/GaN HEMTの動作安定性評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価 (電子デバイス)
• デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• デュアルゲート構造を用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプスの表面帯電部位依存性の評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• AlGaN/GaN HEMTにおけるMOS界面特性と電流コラプスの評価(TFT(有機,酸化物),半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• ドライエッチ面を含むGaNおよびAlGaN界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• GaNおよびAlGaN/GaN上に形成した絶縁ゲート構造への表面処理の影響(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• GaN電子デバイスにおける絶縁膜界面制御

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