菅原 克也 | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

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概要

• 同名の論文著者
• 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センターの論文著者

関連著者

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 菅原 克也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 菅原 克也

  北海道大学

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大 工

• 久保 俊晴

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 武富 浩幸

  三重大学工学部

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 武富 浩幸

  三重大学工学部電気電子工学科

• Hitosugi Taro

  Department Of Superconductivity University Of Tokyo

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 田島 正文

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 小谷 淳二

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 田島 正文

  北海道大学

• 小谷 淳二

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

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著作論文

• AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlGaNの深い準位とAlGaN/GaN HEMTの動作安定性の評価

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