三宅 秀人 | 三重大学工学部電気電子工学科

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概要

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• 同名の論文著者
• 三重大学工学部電気電子工学科の論文著者

関連著者

• 三宅 秀人

  三重大学工学部電気電子工学科

• 平松 和政

  三重大 工

• 平松 和政

  三重大学工学部電子電気工学科

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• Matsushima Hidetada

  Department Of Electronics School Of Engineering Nagoya University

• 三宅 秀人

  三重大学大学院工学研究科

• 平松 和政

  三重大学大学院 工学研究科

• 劉 玉懐

  三重大学工学部電気電子工学科

• 元垣内 敦司

  三重大学工学部電気電子工学科

• 田中 光浩

  日本ガイシ株式会社研究開発本部

• 柴田 智彦

  日本ガイシ

• 桑野 範之

  九州大学産学連携センター

• 田中 光浩

  日本ガイシ

• 柴田 智彦

  日本ガイシ株式会社

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス株式会社

• 石賀 章

  三重大学工学部電気電子工学科

• 藤田 浩平

  三重大学大学院工学研究科

• 大西 孝

  三重大学工学部電気電子工学科

• Kuwano Noriyuki

  Department Of Materials Science And Technology Kyushu University

• 武富 浩幸

  三重大学工学部電気電子工学科

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス

• 家近 泰

  住友化学工業(株)つくば研究所

• 前田 尚良

  住友化学工業(株)つくば研究所

• 家近 泰

  住友化学工業株式会社 筑波研究所

• 直井 弘之

  三重大学SVBL

• 前田 尚良

  住友化学工業株式会社 筑波研究所

• 宮川 鈴衣奈

  三重大学大学院工学研究科

• 木田 喜啓

  三重大学工学部

• 奥浦 一輝

  三重大学大学院工学研究科

• 乗松 潤

  理研

• 平山 秀樹

  理研

• 澤木 宣彦

  名古屋大学大学院工学研究科

• 生川 満久

  三重大学工学部電気電子工学科

• 吉田 治正

  浜松ホトニクス(株)

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所

• 高岡 秀嗣

  浜松ホトニクス(株)電子管第2事業部

• 高岡 秀嗣

  浜松ホトニクス株式会社

• 福世 文嗣

  浜松ホトニクス(株)

• 寺田 雄祐

  三重大学工学部電気電子工学科

• 吉田 治正

  三重大学工学部電気電子工学科

• 武富 浩幸

  三重大学工学部

• 岡田 知幸

  浜松ホトニクス株式会社

• 西山 克哉

  三重大・工

• 西山 克哉

  三重大学工学部電気電子工学科

• 沢木 宣彦

  名古屋大学工学部電子工学科

• 原口 雅也

  九州大学総合理工学府

• 平山 秀樹

  理化学研究所・テラヘルツ量子素子研究チーム

• 元垣内 敦司

  Graduate School Of Electronic Science And Technology Shizuoka University

• 澤木 宣彦

  名古屋大学

• 福世 文嗣

  浜松ホトニクス株式会社

• 野村 拓也

  三重大学大学院工学研究科

• 岡田 知幸

  浜松ホトニクス(株)電子管事業部

• 澤木 宣彦

  名古屋大

• 平山 秀樹

  (独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム

• 桑原 崇彰

  九州大学大学院総合理工学府

• 桑野 範之

  九州大学

• 楊 士波

  三重大学大学院工学研究科

• 福井 一俊

  福井大学遠赤外領域開発センター

• 福井 一俊

  福井大fir

• 中村 淳

  中部キレスト(株)

• 矢口 紀恵

  (株)日立サイエンスシステムズ

• 柴田 泰宏

  三重大学工学部

• 阿部 晃久

  三重大学工学部電気電子工学科

• 山路 浩規

  三重大学工学部電気電子工学科

• 南部 信義

  中部キレスト長岡技科大

• 只友 一行

  三菱電線工業

• 大内 洋一郎

  三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所

• 濱村 寛

  株式会社ニコン精機カンパニー

• 濱村 寛

  (株)ニコン精機カンパニー

• 小出 晋也

  三重大学工学部電気電子工学科

• 中村 和哉

  三重大学工学部電気電子工学科

• 安川 浩範

  三重大学工学部

• 辻澤 健一

  三重大学工学部電気電子工学科

• 田鍋 智章

  三重大学工学部電気電子工学科

• 南部 信義

  中部キレスト(株)

• 只友 一行

  三菱電線工業株式会社フォトニクス研究所

• 池田 暁光

  三重大学工学部

• 日比 正徳

  三重大学工学部

• 中村 淳

  中部キレスト (株)

• 平松 和政

  三重大学

• 橋詰 保

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 杉山 耕一

  三重大学工学部

• 長尾 哲

  三菱化学科学技術研究センター

• 小川原 悠哉

  三重大学工学部電気電子工学科

• 光原 昌寿

  九州大学大学院総合理工学研究院

• 菅原 克也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 矢口 紀恵

  日立サイエンスシステムズ

• 川口 靖利

  名大・工

• 灰野 正紘

  三重大学工学部電気電子工学科

• 山口 元男

  三重大学工学部電気電子工学科

• 川口 靖利

  名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 大西 勝

  三重大学工学部電気電子工学科

• 曽根 弘樹

  名古屋大学工学部電子工学料

• 矢口 紀恵

  日立ハイテクノロジーズ 那珂事業所

• 桑野 範之

  九州大学大学院総理工学研究科

• 小野 善伸

  住友化学

• 小野 善伸

  住友化学工業(株)筑波研究所

• 久保 俊晴

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 島原 佑樹

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 武富 浩幸

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 馬 ベイ

  三重大学工学部電気電子工学科

• 宮川 鈴衣奈

  三重大学工学部電気電子工学科

• 胡 衛国

  三重大学工学部電気電子工学科

• 水谷 広光

  三重大・工

• 水谷 広光

  三重大学工学部電気電子工学科

• 江龍 修

  名古屋工業大学

• 菅原 克也

  北海道大学

• 勝野 琢弥

  三重大学工学部電気電子工学科

• 黎 大兵

  三重大学SVBL

• 増田 規宏

  三重大学工学部電気電子工学科

• 劉 玉懐

  三重大学SVBL

• 柴田 智彦

  三重大学工学部電気電子工学科

• 江崎 哲也

  九州大学総合理工学府

• Hashizume T

  Advanced Research Laboratory Hitachi Ltd.:department Of Physics Tokyo Institute Of Technology

• Hashizume Tomihiro

  Institute For Materials Research (imr) Tohoku University:(present Address)advanced Research Laborato

• 奥村 建太

  三重大学大学院工学研究科

• 西川 直宏

  住友化学株式会社筑波研究所

• 長谷 吉起

  三重大学工学部電気電子工学科

• 楠 真一郎

  三重大学工学部電気電子工学科

• 土田 良彦

  住友化学株式会社筑波研究所

• 小野 善伸

  住友化学株式会社筑波研究所

• 片桐 佑介

  三重大学工学部電気電子工学科

• 奥浦 一輝

  三重大学工学部電気電子工学科

• 呉 潔君

  三重大学工学部電気電子工学科

• 小林 祐二

  浜松ホトニクス(株)中央研究所

• Hitosugi Taro

  Department Of Superconductivity University Of Tokyo

• Hashizume Tamotsu

  Research Center For Integrated Quantum Electronics And Graduate School Of Information Science &

• 土田 良彦

  住友化学株式会社

• 大内 澄人

  三重大学大学院工学研究科

• 橋詰 保

  北海道大学 情報科学研究科 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 龍 祐樹

  九州大学大学院総合理工学府

• 桑野 範之

  九州大学大学院総合理工学府

• 光原 昌寿

  九州大学大学院総合理工学府

• 小野 善伸

  住友化学株式会社 筑波研究所

• 西川 直宏

  住友化学株式会社 筑波研究所

• 神野 大樹

  三重大学

• 岡田 俊祐

  三重大学

• 江夏 悠貴

  三菱化学

• 福世 文嗣

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻:浜松ホトニクス株式会社

• 落合 俊介

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 高木 麻有奈

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 三宅 秀人

  三重大学

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学工芸学部

• 杉山 耕一

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Mie University

• 灰野 正絋

  三重大学工学部電気電子工学科

• 漆戸 達大

  三重大学工学部

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学

• 播磨 弘

  京都工芸繊維大学 工芸学部

• 高木 雄太

  三重大学大学院工学研究科

• 大野 裕

  東北大金研

• 米永 一郎

  東北大金研

• 吉野 賢二

  宮崎大学工学部

• 若木 守明

  東海大学工学部

• 碇 哲雄

  宮崎大学工学部電気電子工学科

• 前田 幸治

  宮崎大学工学部電気電子工学科

• 徳本 有紀

  東北大金研

• 三宅 秀人

  三重大工

• 福山 敦彦

  宮崎大学工学部材料物理工学科

• 平山 秀樹

  BEANSプロジェクト

• 平松 和政

  三重大学大学院工学研究科電気電子工学専攻

• 坊山 晋也

  三重大学工学部

• 吉川 兼司

  三重大学工学部

• 竹内 亮

  三重大学工学部

• Riemann T.

  Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Bertram F.

  Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Christen J.

  Institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• 坊山 晋也

  三重大学 工学部

• 吉川 兼司

  三重大学 工学部

• 三宅 秀人

  三重大学 工学部

• 竹内 亮

  三重大学 工学部

• Riemann T

  institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Bertram F

  institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Christen J

  institute of Experimental Physics,Otto-von-Guericke-University Magdeburg

• Riemann T

  Otto‐von‐guericke‐univ. Magdeburg Deu

• Bertram F

  Otto-von-guericke‐univ. Magdeburg Magdeburg Deu

• Bertram F

  Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke-university Magdeburg

• Christen J

  Otto-von‐guericke Univ. Magdeburg Deu

• Christen J

  Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke-university Magdeburg

• 若木 守明

  東海大学工学

• 川原 正和

  宮崎大学工学部

• 西本 雅之

  宮崎大学工学部

• 丸岡 大介

  宮崎大学工学部

• 神崎 陽介

  東海大学工学研究科光工学専攻

• 沓掛 健太朗

  東北大金研

• 種市 寛人

  東北大金研

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著作論文

• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• ナノ構造GaNの高さ・密度制御とその反射防止・透過向上特性
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN (レーザ・量子エレクトロニクス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN (電子部品・材料)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN (電子デバイス)
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高Al組成AlGaNの表面特性と深い電子準位(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• AlN/sapphire上のAlGaNのMOVPE成長と電子線励起による深紫外発光(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 次世代固体照明の開発と医療・環境応用に関する研究
• 加圧HVPE法による高品質GaN結晶成長(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• III族窒化物半導体の低欠陥エピタキシャル成長技術(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
• FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
• ELOによりWN_x電極を埋込むGaN構造の作製と評価
• FACELO(ファセット制御ELO)によるGaNの低転位化
• 30a-S-8 CuInSe_2、CuIn_3Se_5、Cu_2In_4Se_7結晶の光学的評価
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのSiドーピングによる影響(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高Alモル分率AlGaNへのMgドーピング効果(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 凹凸AlN基板を用いた低転位密度AlGaNのMOVPE成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Al_Ga_Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 金属EDTA錯体を用いたGaN系青色発光材料の合成
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• AlN/Sapphire基板を用いた高Al組成AlGaNのMOVPE成長と光学特性(III族窒化物研究の最前線)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiCを基板に用いた減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• 選択成長によるGaNの結晶学的評価
• HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• HVPE法によるAlN厚膜の作製
• HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• カルコパイライト型半導体結晶の溶液成長
• THM法によるカルコパイライト型半導体単結晶の作製
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 周期溝加工基板上への減圧HVPE法によるAlN成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• AlGaNのMOVPE成長における基板の反り制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 有効媒質近似を用いたGaNナノ針状構造の光学モデルの構築
• GaNナノ針状結晶の形成と電界放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• GaNナノ針状結晶の形成と電界放出(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (シリコン材料・デバイス)
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (電子部品・材料)
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御 (電子デバイス)
• a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (シリコン材料・デバイス)
• a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (電子部品・材料)
• a面Sapphire上周期構加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長 (電子デバイス)
• MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPE法による段差Si基板上へのGaNのELO : Si基板上へのGaNの制限領域ELO(III族窒化物研究の最前線)
• 減圧MOVPE法によるGaN選択成長の圧力効果
• 減圧MOVPE法によるGaN選択成長の圧力効果
• 減圧MOVPE法によるGaN選択成長の圧力効果
• エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• CuGaS_2の選択成長とその表面形態の観察 : 気相成長
• CuGaS_2の選択成長によるSiO_2埋め込み構造の作製
• CuGaS_2の選択成長によるSiO_2埋め込み構造の作製
• CuGaS_2の選択成長によるSiO_2埋め込み構造の作製
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• エッチピット法によるAlNエピタキシャル膜中の貫通転位の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• サファイア基板上へのAlNのMOVPE成長における中間層制御(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 27aXS-8 ナノインデンテーション法によるAl_xGa_N薄膜の硬度測定(27aXS 格子欠陥・ナノ構造(転位・界面・半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 減圧MOVPE法によるSi-doped AlGaN多重量子井戸の作製とその深紫外光源応用(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
• 非極性GaN基板上への選択MOVPE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)

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