吉野 賢二 | 宮崎大学工学部
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概要
関連著者
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吉野 賢二
宮崎大学工学部
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碇 哲雄
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
吉野 賢二
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
前田 幸治
宮崎大学工学部電気電子工学科
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横山 宏有
宮崎大学工学部電気電子工学科
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碇 哲雄
宮崎大学工学部
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福山 敦彦
宮崎大学工学部材料物理工学科
-
福山 敦彦
宮崎大工
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碇 哲雄
宮崎大工
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永岡 章
宮崎大学工学部電気電子工学科
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境 健太郎
宮崎大産学連携センター
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小嶋 稔
宮崎大学工学部
-
境 健太郎
宮崎大学工学部機器分析センター
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西本 雅之
宮崎大学工学部
-
小山 哲史
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
-
木下 綾
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
-
小牧 弘典
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
-
西本 雅之
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
-
福山 敦彦
宮崎大学工学部
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白幡 泰浩
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
松尾 整
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
-
水本 卓
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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甲斐 康之
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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丸岡 大介
宮崎大学工学部
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三谷 直司
宮崎大学電気電子工学専攻
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Sakai K
宮崎大
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加藤 真弘
宮崎大学工学部電気電子工学科
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野本 恵太
宮崎大学工学部電気電子工学科
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掛野 崇
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
-
福嶋 貴志
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
-
大牟田 真吾
宮崎大学工学部電気電子工学科
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赤木 洋二
都城高専電気工学科
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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杉山 耕一
三重大学工学部
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川原 正和
宮崎大学工学部
-
丸岡 大介
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
-
鈴木 誠司
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
前田 広利
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
渡邊 数隆
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
赤木 洋二
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
赤木 洋二
都城工業高等専門学校
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杉之原 貴洋
宮崎大学工学部電気電子工学専攻
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境 健太郎
宮崎大学機器分析センター
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三谷 直司
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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植本 隆在
宮崎大工
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永田 毅
宮崎大学工学研究科電子電子工学専攻
-
岩本 政利
宮崎大学工学研究科電気電子工学科
-
小野瀬 宏
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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重冨 茂
久留米大、医
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浅井 大作
宮崎大学工学研究科電子工学専攻
-
重冨 茂
久留米大学医学部物理学教室
-
原山 誠
宮崎大学工学部
-
植本 隆在
宮崎大学工学部
著作論文
- 太陽電池用透明導電膜の作製(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 太陽電池用透明導電膜の作製(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 太陽電池用透明導電膜の作製(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- ITO透明導電膜のスプレー法による作成と評価
- ホットプレス法によるAgInSe2バルク結晶の結晶成長
- スプレー熱分解法 ZnO系透明導電膜の作成とアニール効果
- AgGaSe2バルク結晶のフォトルミネッセンス特性
- スプレー熱分解法で作成したIn-doped ZnO薄膜の熱処理による光学的、電気的性質
- ホットプレス法によるAgGaSe2バルク結晶の成長
- A-008 電子デバイスのものつくり課題探求実験(ポスター発表論文,(A)創造性を育む様々な取り組み)
- カルコパイライト型半導体AgGaSe2の組成依存性
- 陽子線を照射したカルコパイライト型化合物半導体CuInSe_2薄膜の圧電素子光熱分光スペクトル(研究論文編)
- 無添加およびSb添加カルコパイライト型化合物半導体CuInS_2薄膜の作製および評価(研究論文編)
- 真空蒸着法によるAgGaSe2薄膜作成と評価
- スパッタリング法によるZnO系薄膜の作成および酸素分圧依存性
- V族元素添加CuInS_2結晶のホットプレス成長
- Ge-Se系ガラスの結晶化過程の組成依存性
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2の異方性熱物性値(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2の異方性熱物性値(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2の異方性熱物性値(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体CuGaSe_2薄膜の圧電素子 : 光音響分光法による評価
- 30a-S-8 CuInSe_2、CuIn_3Se_5、Cu_2In_4Se_7結晶の光学的評価
- ホットプレス法で作製した熱電半導体CoSb_3の作製条件の相違によるキャリア輸送特性への影響
- 熱処理によるGeSe_2ガラスの結晶核生成過程の研究
- C-6-3 ホットプレス法によるカルコパイライト型半導体V族添加CuInS_2結晶の結晶成長と評価
- ホットプレス法によるカルコパイライト型半導体CuInS_2結晶の結晶成長と評価
- カルコパイライト型半導体CuGaSe_2薄膜のGaAs基盤の影響
- GeSe_2ガラスの熱結晶化過程のアニール条件依存性
- カルコパイライト型半導体AgIn(S_xSe_)_2結晶の結晶成長と評価
- カルコパイライト型半導体CuInS_2単結晶の光学特性
- 見かけの活性化エネルギーの組成依存性によるカルコゲナイドガラスのガラス転移の研究
- カルコパイライト型半導体CuInSe_x(1.5
- 圧電素子 : 光音響スペクトルにおけるGaAs禁制帯近くの信号変化の解析
- Bi-Te系熱電半導体のSbI_3によるキャリア制御
- C-6-5 Ge-Se系における新しい結晶相のラマンスペクトルによる確認
- ポーラスシリコンの可視発光メカニズム
- 8a-S-12 圧電素子-光音響分光法(P-PAS)を用いた, シリコンの熱処理に伴うサーマルドナー形成の評価
- 26p-YE-8 カルコゲナイド系アモルフォス半導体GeSe_2の降温過程における構造変化過程
- 5a-A-8 アモルファス半導体GeSe_2の昇温および降温過程における構造変化
- 透明導電膜 (特集 太陽電池部材)