永岡 章 | 宮崎大学工学部電気電子工学科
スポンサーリンク
概要
関連著者
著作論文
-
カルコパイライト型半導体AgGaSe2結晶の禁制帯幅の温度依存性
-
カルコパイライト型半導体AgGaSe_2の異方性熱物性値(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
-
カルコパイライト型半導体AgGaSe_2の異方性熱物性値(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
-
カルコパイライト型半導体AgGaSe_2の異方性熱物性値(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
-
カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
-
カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
-
カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
-
1-3-6[2]族化合物半導体CuInS2の異方性を持つ物性値の解析
-
I-III-VI2族化合物半導体CuInS2の異方性を持つ物性値の解析
-
カルコパイライト型半導体AgGaSe2結晶の禁制帯幅の温度依存性
-
ホットプレス法により作製したCuInTe2のCu/In比依存性
-
ホットプレス法によるCu2ZnSnS4のバルク結晶成長
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク