吉野 賢二 | 宮崎大学工学部電気電子工学科
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概要
関連著者
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吉野 賢二
宮崎大学工学部電気電子工学科
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吉野 賢二
宮崎大学工学部
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碇 哲雄
宮崎大工
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碇 哲雄
宮崎大学工学部電気電子工学科
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碇 哲雄
宮崎大学工学部
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永岡 章
宮崎大学工学部電気電子工学科
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前田 幸治
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
横山 宏有
宮崎大学工学部電気電子工学科
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境 健太郎
宮崎大産学連携センター
-
小山 哲史
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
-
木下 綾
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
-
小牧 弘典
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
-
境 健太郎
宮崎大学工学部機器分析センター
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小嶋 稔
宮崎大学工学部
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白幡 泰浩
宮崎大学工学部電気電子工学科
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松尾 整
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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水本 卓
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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甲斐 康之
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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Sakai K
宮崎大
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加藤 真弘
宮崎大学工学部電気電子工学科
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野本 恵太
宮崎大学工学部電気電子工学科
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栗原 正次
大日本スクリーン製造株式会社
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瀬戸 悟
石川工業高等専門学校電気工学科
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吉野 賢二
宮崎大学電気電子工学科
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掛野 崇
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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福嶋 貴志
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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大牟田 真吾
宮崎大学工学部電気電子工学科
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赤木 洋二
都城高専電気工学科
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福山 敦彦
宮崎大工
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福山 敦彦
宮崎大学工学部材料物理工学科
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赤木 洋二
宮崎大学工学部電気電子工学科
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赤木 洋二
都城工業高等専門学校
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三谷 直司
宮崎大学電気電子工学専攻
-
杉之原 貴洋
宮崎大学工学部電気電子工学専攻
-
境 健太郎
宮崎大学機器分析センター
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瀬戸 悟
石川工業高専
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白濱 正尋
都城工業高等専門学校
-
福山 敦彦
宮崎大学工学部
著作論文
- スプレー熱分解法によるFTO系透明導電膜の作成
- FTO透明電極を使用した色素増感太陽電池の作成
- ITO透明導電膜のスプレー法による作成と評価
- ホットプレス法によるAgInSe2バルク結晶の結晶成長
- スプレー熱分解法 ZnO系透明導電膜の作成とアニール効果
- AgGaSe2バルク結晶のフォトルミネッセンス特性
- スプレー熱分解法で作成したIn-doped ZnO薄膜の熱処理による光学的、電気的性質
- ホットプレス法によるAgGaSe2バルク結晶の成長
- A-008 電子デバイスのものつくり課題探求実験(ポスター発表論文,(A)創造性を育む様々な取り組み)
- 真空蒸着法を用いたAgInS_2薄膜の作製と評価
- カルコパイライト型半導体AgGaSe2の組成依存性
- 陽子線を照射したカルコパイライト型化合物半導体CuInSe_2薄膜の圧電素子光熱分光スペクトル(研究論文編)
- 無添加およびSb添加カルコパイライト型化合物半導体CuInS_2薄膜の作製および評価(研究論文編)
- 真空蒸着法によるAgGaSe2薄膜作成と評価
- スパッタリング法によるZnO系薄膜の作成および酸素分圧依存性
- V族元素添加CuInS_2結晶のホットプレス成長
- Ge-Se系ガラスの結晶化過程の組成依存性
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2の異方性熱物性値(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2の異方性熱物性値(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2の異方性熱物性値(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 熱処理によるGeSe_2ガラスの結晶核生成過程の研究
- C-6-3 ホットプレス法によるカルコパイライト型半導体V族添加CuInS_2結晶の結晶成長と評価
- ホットプレス法によるカルコパイライト型半導体CuInS_2結晶の結晶成長と評価
- カルコパイライト型半導体CuGaSe_2薄膜のGaAs基盤の影響
- GeSe_2ガラスの熱結晶化過程のアニール条件依存性
- C-6-5 Ge-Se系における新しい結晶相のラマンスペクトルによる確認
- スプレー熱分解法による低抵抗FTO系透明導電膜の作製
- スプレー熱分解法によるFTO系透明導電膜の膜厚依存性
- I-III-VI2族化合物半導体CuInS2の異方性を持つ物性値の解析
- I-III-VI2族化合物半導体のAgInS2の電気的、光学的特性
- ホットプレス法で作成した AgInS2 結晶の Ag/In 比の依存性
- Gaを添加した酸化亜鉛膜の熱処理効果
- スパッタ法によるIrSnO2の作製とエレクトロクロミック特性
- イオンプレーティング法により作成した Ga-doped ZnO 薄膜の熱処理効果
- ホットプレス法により作製したCuInTe2の成長温度依存性
- カルコパイライト型半導体AgGaSe2結晶の禁制帯幅の温度依存性
- RFスパッタ法により作成したIrSnO2薄膜の基板温度依存性
- ホットプレス法により作製したCuInTe2のCu/In比依存性
- ホットプレス法によるCu2ZnSnS4のバルク結晶成長
- スピンコート法による酸化亜鉛薄膜作製
- 第一原理計算による酸化金属系透明導電膜の解析
- スプレー熱分解法による酸化亜鉛薄膜の低温大気作製
- スプレー熱分解法によるSnO2系透明導電膜の成長メカニズムの解明