ホットプレス法で作成した AgInS2 結晶の Ag/In 比の依存性
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概要
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AgInS2 crystals with changing Ag/In ratio were grown by a Hot-Press method at 700℃ under 25 MPa for 1 hour. The size of all samples was 20 mm in diameter. From the X-ray diffraction spectra, AgIn5S8 phases were observed in In-rich samples, respectively. Furthermore, lattice constants of In-and Ag-rich samples were larger than stoichiometric sample. It was assumed that this was due to exist interstitial atoms. Density became large with increasing Ag/In ratio. From Hall measurement, all samples indicated n-type conductivity. It was deduced that lattice defects of interstitial Ag atoms and sulphur vacancy were existed in Ag and In rich samples, respectively.
- 2010-09-30
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