C-6-5 Ge-Se系における新しい結晶相のラマンスペクトルによる確認
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-20
著者
-
吉野 賢二
宮崎大学工学部
-
碇 哲雄
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
前田 幸治
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
水本 卓
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
-
境 健太郎
宮崎大学工学部機器分析センター
-
境 健太郎
宮崎大産学連携センター
-
吉野 賢二
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
Sakai K
宮崎大
関連論文
- 太陽電池用透明導電膜の作製(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 太陽電池用透明導電膜の作製(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 太陽電池用透明導電膜の作製(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- スプレー熱分解法によるFTO系透明導電膜の作成
- FTO透明電極を使用した色素増感太陽電池の作成
- ITO透明導電膜のスプレー法による作成と評価
- ホットプレス法によるAgInSe2バルク結晶の結晶成長
- スプレー熱分解法 ZnO系透明導電膜の作成とアニール効果
- AgGaSe2バルク結晶のフォトルミネッセンス特性
- スプレー熱分解法で作成したIn-doped ZnO薄膜の熱処理による光学的、電気的性質
- ホットプレス法によるAgGaSe2バルク結晶の成長
- A-008 電子デバイスのものつくり課題探求実験(ポスター発表論文,(A)創造性を育む様々な取り組み)
- 真空蒸着法を用いたAgInS_2薄膜の作製と評価
- カルコパイライト型半導体AgGaSe2の組成依存性
- 陽子線を照射したカルコパイライト型化合物半導体CuInSe_2薄膜の圧電素子光熱分光スペクトル(研究論文編)
- 無添加およびSb添加カルコパイライト型化合物半導体CuInS_2薄膜の作製および評価(研究論文編)
- 真空蒸着法によるAgGaSe2薄膜作成と評価
- スパッタリング法によるZnO系薄膜の作成および酸素分圧依存性
- V族元素添加CuInS_2結晶のホットプレス成長
- Ge-Se系ガラスの結晶化過程の組成依存性
- 2P1-11 光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究(ポスターセッション)
- 高感度光吸収係数測定を目的とした一定光電流実験手法の構築
- sp3/sp2比によるダイヤモンド様炭素薄膜の光学的特性変化
- 非破壊検査 非発光遷移検出によるポリジヘキシルシランの光分解性評価--圧電素子光熱分光法による有機ポリシランの研究
- 1P2a-4 非発光遷移検出によるポリジへキシルシランの光分解性評価(ポスターセッション)
- 1J2a-2 光熱分光法と表面光起電力法によるGaAs/AlAs-MQWの電子遷移過程の研究(測定技術)
- 圧電素子光熱分光法によるチタニア薄膜の光学的特性の研究
- AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される2次元電子ガスの光学的特性
- 1-04P-21 GaInNAs/GaAs SQWからの光励起されたキャリアの漏れの検出(ポスターセッション 1)
- 圧電素子光熱分光法による半導体薄膜の評価
- フォトルミネッセンス分光法によるIII-V族化合物半導体InGaAlPの評価
- 製膜速度による微結晶シリコン薄膜の圧電素子光熱分光スペクトル変化
- 非破壊検査 圧電素子光熱分光法による微結晶シリコン薄膜の光吸収スペクトル
- P2-E-32 圧電素子光熱分光法による微結晶シリコン薄膜の光吸収スペクトル(光-超音波・光音響法,ポスターセッション2(概要講演))
- 6a-A-3 熱電半導体Bi_2Te_Se_ へのSbI_3添加効果
- 顕微ラマン散乱分光法によるSiC単結晶の電気的特性の評価
- レーザーアブレーションを利用したp型ZnOナノワイヤの作製と評価
- スパッタ法によるEr添加カルコゲナイドガラス薄膜の作製と特性
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2の異方性熱物性値(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2の異方性熱物性値(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2の異方性熱物性値(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体CuGaSe_2薄膜の圧電素子 : 光音響分光法による評価
- 30a-S-8 CuInSe_2、CuIn_3Se_5、Cu_2In_4Se_7結晶の光学的評価
- サーマルドナーによるCZ成長p型Siの電気的特性の変化
- p型シリコン中に存在する不純物準位の室温における光音響スペクトル
- ホットプレス法で作製した熱電半導体CoSb_3の作製条件の相違によるキャリア輸送特性への影響
- ポリカーボネート成型品の熱処理効果の解析
- P1-31 圧電素子光熱分光法とフォトルミネッセンス法による4H-SiC単結晶中の欠陥評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- 熱処理によるGeSe_2ガラスの結晶核生成過程の研究
- C-6-4 GeSe_2ガラスの核生成過程における2段階等温アニール効果
- C-6-3 ホットプレス法によるカルコパイライト型半導体V族添加CuInS_2結晶の結晶成長と評価
- ホットプレス法によるカルコパイライト型半導体CuInS_2結晶の結晶成長と評価
- GeSe_2蒸着薄膜の熱アニールによる構造変化の研究
- カルコパイライト型半導体CuGaSe_2薄膜のGaAs基盤の影響
- GeSe_2ガラスの熱結晶化過程のアニール条件依存性
- カルコパイライト型半導体AgIn(S_xSe_)_2結晶の結晶成長と評価
- カルコパイライト型半導体CuInS_2単結晶の光学特性
- 25pL-7 カルコゲナイド系アモルファス半導体
- 25pL-5 カルコゲナイド系アモルファスGeSe_2の光誘起および熱による結晶化過程
- 見かけの活性化エネルギーの組成依存性によるカルコゲナイドガラスのガラス転移の研究
- カルコパイライト型半導体CuInSe_x(1.5
- 圧電素子 : 光音響スペクトルにおけるGaAs禁制帯近くの信号変化の解析
- 1Pa-8 圧電素子光熱分光法による多結晶シリコンp-n接合界面における熱エネルギー損失評価(ポスターセッション)
- 原子層エピタキシー法により作製したGaAs薄膜の評価
- 分子線エピタキシー法によるMnAsおよびGaMnAs成長過程の研究
- アルカリハロゲン化物を添加したTmドープカルコゲナイドガラスの発光特性
- C-4-1 フォトルミネッセンス法による InGaAlP の Zn 不純物の評価
- ラマン分光法によるSiCセラミックス焼結体におけるポリタイプの研究
- Bi-Te系熱電半導体のSbI_3によるキャリア制御
- フォトルミネッセンス法による高濃度SiドープGaAsのバンドギャップとフェルミエネルギーの決定
- Er添加カルコゲナイドガラスのフォトルミネッセンス法による評価
- C-6-5 Ge-Se系における新しい結晶相のラマンスペクトルによる確認
- ポリエチレングリコールの分子量を変化させたチタニア多孔質薄膜の光学的特性比較
- スプレー熱分解法による低抵抗FTO系透明導電膜の作製
- スプレー熱分解法によるFTO系透明導電膜の膜厚依存性
- ダイヤモンド様炭素のPPT及びPLスペクトルに対するsp3/sp2比の影響
- 光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究
- サマリウムを添加したバリウム硫化物の光およびX線励起による発光特性
- I-III-VI2族化合物半導体CuInS2の異方性を持つ物性値の解析
- I-III-VI2族化合物半導体のAgInS2の電気的、光学的特性
- ホットプレス法で作成した AgInS2 結晶の Ag/In 比の依存性
- Gaを添加した酸化亜鉛膜の熱処理効果
- 高分解能X線回折法によるGaAs(001)上のフッ化物混晶膜の結晶評価
- スパッタ法によるIrSnO2の作製とエレクトロクロミック特性
- ポーラスシリコンの可視発光メカニズム
- 8a-S-12 圧電素子-光音響分光法(P-PAS)を用いた, シリコンの熱処理に伴うサーマルドナー形成の評価
- P2-20 CoをドープしたZnOの圧電素子光熱分光スペクトル(ポスターセッション2,ポスター発表)
- 26p-YE-8 カルコゲナイド系アモルフォス半導体GeSe_2の降温過程における構造変化過程
- 26p-YE-7 アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化における波長依存性
- 26p-YE-6 アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化における温度および時間依存性
- 6a-E-8 低温におけるGaAs中の深い準位EL2に起因する光励起準安定状態
- 5a-A-9 アモルファスGe-Seの昇温結晶化過程の組成依存性
- 5a-A-8 アモルファス半導体GeSe_2の昇温および降温過程における構造変化
- 高分解能X線回折法によるGaAs基板上のフッ化物薄膜結晶の評価
- PPT法とPL法を用いたダイヤモンド様炭素の光学ギャップ温度依存性の研究
- 透明導電膜 (特集 太陽電池部材)
- アモルファスGeSe_2の熱による結晶化過程