P2-E-32 圧電素子光熱分光法による微結晶シリコン薄膜の光吸収スペクトル(光-超音波・光音響法,ポスターセッション2(概要講演))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会の論文
- 2003-11-12
著者
-
福山 敦彦
宮崎大工
-
碇 哲雄
宮崎大工
-
福山 敦彦
宮崎大・工
-
碇 哲雄
宮崎大・工
-
多田 真樹
宮崎大学工学研究科物質工学専攻
-
大田 将志
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
-
王 萍
宮崎大・工
-
多田 真樹
宮崎大・工
-
大田 将志
宮崎大・工
-
境 健太郎
宮崎大・工
-
境 健太郎
宮崎大産学連携センター
-
Sakai K
宮崎大
関連論文
- スプレー熱分解法によるFTO系透明導電膜の作成
- FTO透明電極を使用した色素増感太陽電池の作成
- ITO透明導電膜のスプレー法による作成と評価
- スプレー熱分解法 ZnO系透明導電膜の作成とアニール効果
- カルコパイライト型半導体AgGaSe2の組成依存性
- 陽子線を照射したカルコパイライト型化合物半導体CuInSe_2薄膜の圧電素子光熱分光スペクトル(研究論文編)
- 無添加およびSb添加カルコパイライト型化合物半導体CuInS_2薄膜の作製および評価(研究論文編)
- V族元素添加CuInS_2結晶のホットプレス成長
- Ge-Se系ガラスの結晶化過程の組成依存性
- 2P1-11 光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究(ポスターセッション)
- 高感度光吸収係数測定を目的とした一定光電流実験手法の構築
- sp3/sp2比によるダイヤモンド様炭素薄膜の光学的特性変化
- 非破壊検査 非発光遷移検出によるポリジヘキシルシランの光分解性評価--圧電素子光熱分光法による有機ポリシランの研究
- 圧電・超音波材料 GaAs/AlAs MQWにおける電子遷移の光学的研究--圧電素子光熱分光法と表面光起電力法による量子井戸評価
- 1P2a-4 非発光遷移検出によるポリジへキシルシランの光分解性評価(ポスターセッション)
- 1J2a-2 光熱分光法と表面光起電力法によるGaAs/AlAs-MQWの電子遷移過程の研究(測定技術)
- 圧電素子光熱分光法によるチタニア薄膜の光学的特性の研究
- AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される2次元電子ガスの光学的特性
- 1-04P-21 GaInNAs/GaAs SQWからの光励起されたキャリアの漏れの検出(ポスターセッション 1)
- L-2 圧電素子光熱分光法を用いたp-n接合シリコン界面におけるキャリア振る舞いの評価(光-超音波エレクトロニクス)
- 圧電素子光熱分光法による半導体薄膜の評価
- フォトルミネッセンス分光法によるIII-V族化合物半導体InGaAlPの評価
- 製膜速度による微結晶シリコン薄膜の圧電素子光熱分光スペクトル変化
- 非破壊検査 圧電素子光熱分光法による微結晶シリコン薄膜の光吸収スペクトル
- P2-E-32 圧電素子光熱分光法による微結晶シリコン薄膜の光吸収スペクトル(光-超音波・光音響法,ポスターセッション2(概要講演))
- 6a-A-2 n型Bi_2Te_Se_熱電材料における電気的特性のドーパント依存性
- ホットプレス法で作成した AgInS2 結晶の Ag/In 比の依存性
- N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較
- カルコパイライト型半導体AgGaSe2結晶の禁制帯幅の温度依存性
- カルコパイライト型半導体CuGaSe_2薄膜の圧電素子 : 光音響分光法による評価
- ポリエチレングリコールの分子量を変化させたチタニア多孔質薄膜の光学的特性比較
- イオンプレーティング法により作成した Ga-doped ZnO 薄膜の熱処理効果
- J-2 光音響分光法による半絶縁性GaAsのフォトクエンチング効果の熱的回復の測定(J.光音響技術)
- PA26 シリコンの光音響スペクトルに対するアニーリング効果(ポスターセッションA)
- PA25 光音響分光法によるGaAsウエハのEL2の面分布の測定(ポスターセッションA)
- A3 近赤外領域におけるGaAs中の深い準位による光音響スペクトル
- 分子線エピタキシャル成長n-GaAs薄膜の光音響スペクトル
- P1-31 圧電素子光熱分光法とフォトルミネッセンス法による4H-SiC単結晶中の欠陥評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- 熱処理によるGeSe_2ガラスの結晶核生成過程の研究
- カルコパイライト型半導体CuGaSe_2薄膜のGaAs基盤の影響
- カルコパイライト型半導体CuInS_2単結晶の光学特性
- 24aT-6 光照射型DSCによるGeSe_2ガラスの核形成及び成長過程における光の効果
- 25pL-7 カルコゲナイド系アモルファス半導体
- 25pL-5 カルコゲナイド系アモルファスGeSe_2の光誘起および熱による結晶化過程
- 見かけの活性化エネルギーの組成依存性によるカルコゲナイドガラスのガラス転移の研究
- カルコパイライト型半導体CuInSe_x(1.5
- 圧電素子 : 光音響スペクトルにおけるGaAs禁制帯近くの信号変化の解析
- PC2 圧電素子-光音響分光法、フォトルミネッセンス法によるCuIn_xGa_Se_2結晶の光学的評価(光-超音波エレクトロニクス,ポスターセッション1)
- 1Pa-8 圧電素子光熱分光法による多結晶シリコンp-n接合界面における熱エネルギー損失評価(ポスターセッション)
- P1-30 半絶縁性GaAs中のホールトラップ準位評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- C-6-8 圧電素子-光熱分光法による半導体中深い準位評価 : 半絶縁性GaAs中のホールトラップ準位
- C-6-7 圧電素子-光熱信号の温度依存性解析による半絶縁GaAs結晶中の深い電子準位の評価
- C-6-6 圧電素子-光熱信号の温度依存性による半絶縁性GaAs中の深い準位検出
- P2-22 圧電素子光熱信号の温度依存性によるn型Si中の深い準位の評価(ポスターセッション2,ポスター発表)
- P1-24 圧電素子-光熱信号の温度依存性による半絶縁性GaAs中の深い準位検出(ポスターセッション1,ポスター発表)
- Investigation of carrier recombination processes in GaAs/AlAs multiple quantum wells using piezoelectric photothermal and surface photovoltage techniques (Special issue: Ultrasonic electronics)
- C-4-1 フォトルミネッセンス法による InGaAlP の Zn 不純物の評価
- C-6-9 圧電素子-光熱信号の温度依存性によるNiを拡散させたn型Siの深い準位の評価
- P1-29 圧電素子光熱分光法によるInAlPにおけるドーパント効果の評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- 1-3-6[2]族化合物半導体CuInS2の異方性を持つ物性値の解析
- ポリエチレングリコールの分子量を変化させたチタニア多孔質薄膜の光学的特性比較
- スプレー熱分解法による低抵抗FTO系透明導電膜の作製
- スプレー熱分解法によるFTO系透明導電膜の膜厚依存性
- N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較
- ダイヤモンド様炭素のPPT及びPLスペクトルに対するsp3/sp2比の影響
- 光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究
- サマリウムを添加したバリウム硫化物の光およびX線励起による発光特性
- I-III-VI2族化合物半導体CuInS2の異方性を持つ物性値の解析
- スパッタ法によるIrSnO2の作製とエレクトロクロミック特性
- イオンプレーティング法により作成した Ga-doped ZnO 薄膜の熱処理効果
- RFスパッタ法により作成したIrSnO2薄膜の基板温度依存性
- P1-28 InGaAlP-LEDにおける圧電素子光熱信号発生メカニズムの解明(ポスターセッション1,ポスター発表)
- P1-25 圧電素子光熱分光法によるInGaAlP-LED活性層におけるZn拡散の影響評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- P1-27 圧電素子光熱分光法によるInGaAlP-LEDのクラッド層InAlPの影響評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- C-4-4 InGaAlP-LED における圧電素子光熱信号発生メカニズムの解明
- C-4-3 InGaAlP-LED の圧電素子光熱スペクトルにおけるブラッグ型反射層の影響
- C-4-2 圧電素子-光熱分光法による InGaAlP - LED 活性層における Zn 拡散の影響評価
- 8a-S-12 圧電素子-光音響分光法(P-PAS)を用いた, シリコンの熱処理に伴うサーマルドナー形成の評価
- 2Pa1-3 連続成膜法によるCIGS薄膜の光熱変換分光法を用いたバンドギャップの評価(ポスターセッション)
- P2-20 CoをドープしたZnOの圧電素子光熱分光スペクトル(ポスターセッション2,ポスター発表)
- 26p-YE-8 カルコゲナイド系アモルフォス半導体GeSe_2の降温過程における構造変化過程
- 26p-YE-7 アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化における波長依存性
- 26p-YE-6 アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化における温度および時間依存性
- 6a-E-8 低温におけるGaAs中の深い準位EL2に起因する光励起準安定状態
- 5a-A-9 アモルファスGe-Seの昇温結晶化過程の組成依存性
- 5a-A-8 アモルファス半導体GeSe_2の昇温および降温過程における構造変化
- PPT法を用いた多結晶p-nシリコンの結晶粒界割合と発電特性に関する研究
- ホットプレス法により作製したCuInTe2のCu/In比依存性
- ホットプレス法によるCu2ZnSnS4のバルク結晶成長
- スピンコート法による酸化亜鉛薄膜作製
- 第一原理計算による酸化金属系透明導電膜の解析
- PPT法とPL法を用いたダイヤモンド様炭素の光学ギャップ温度依存性の研究
- アモルファスGeSe_2の熱による結晶化過程
- Si(111)表面へのIII族供給によるGaAs薄膜中の回転双晶軽減
- 原料供給シーケンスの違いが原子層エピタキシー法によるGaAsN薄膜成長に与える影響
- PR及びPL法によるシリコン基板上に成長させた窒化ガリウムの光学的特性に対する歪の影響
- 2価および3価のサマリウムを添加した硫黄を含む蛍光体からの発光
- スプレー熱分解法によるSnO2系透明導電膜の成長メカニズムの解明
- 原子層エピタキシー法を用いた超高効率多接合型太陽電池用材料(In)GaAsNの開発
- 量子井戸太陽電池におけるキャリアの非発光再結合および輸送特性