N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較
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概要
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The temperature dependence of the band gap energy estimated from the photorefrectance (PR) spectrum of GaAsN film grown on GaAs substrate was studied and compared with the band anti-crossing (BAC) model. At room temperature, band gaps were good agreement with predictions of BAC model. At low temperatures, however, band gaps followed a slightly-different temperature dependence, being lower in energy than that of BAC model. Good fit was obtained when we assumed that the temperature dependence of the energy of the Nitrogen level, -dEN/dT was not constant.
- 2010-09-30
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