C-6-6 圧電素子-光熱信号の温度依存性による半絶縁性GaAs中の深い準位検出
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-20
著者
-
福山 敦彦
宮崎大工
-
伊藤 敦史
宮崎大学 工学部 電気電子工学科
-
碇 哲雄
宮崎大学 工学部 電気電子工学科
-
福山 敦彦
宮崎大学 工学研究科 材料物理工学科
-
多田 晋
宮崎大学 工学部 材料物理工学科
-
佐藤 庄一郎
宮崎大学 工学部 電気電子工学科
関連論文
- 2P1-11 光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究(ポスターセッション)
- 高感度光吸収係数測定を目的とした一定光電流実験手法の構築
- sp3/sp2比によるダイヤモンド様炭素薄膜の光学的特性変化
- 非破壊検査 非発光遷移検出によるポリジヘキシルシランの光分解性評価--圧電素子光熱分光法による有機ポリシランの研究
- 圧電・超音波材料 GaAs/AlAs MQWにおける電子遷移の光学的研究--圧電素子光熱分光法と表面光起電力法による量子井戸評価
- 1P2a-4 非発光遷移検出によるポリジへキシルシランの光分解性評価(ポスターセッション)
- 1J2a-2 光熱分光法と表面光起電力法によるGaAs/AlAs-MQWの電子遷移過程の研究(測定技術)
- 圧電素子光熱分光法によるチタニア薄膜の光学的特性の研究
- AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される2次元電子ガスの光学的特性
- 1-04P-21 GaInNAs/GaAs SQWからの光励起されたキャリアの漏れの検出(ポスターセッション 1)
- L-2 圧電素子光熱分光法を用いたp-n接合シリコン界面におけるキャリア振る舞いの評価(光-超音波エレクトロニクス)
- 圧電素子光熱分光法による半導体薄膜の評価
- フォトルミネッセンス分光法によるIII-V族化合物半導体InGaAlPの評価
- 製膜速度による微結晶シリコン薄膜の圧電素子光熱分光スペクトル変化
- 非破壊検査 圧電素子光熱分光法による微結晶シリコン薄膜の光吸収スペクトル
- P2-E-32 圧電素子光熱分光法による微結晶シリコン薄膜の光吸収スペクトル(光-超音波・光音響法,ポスターセッション2(概要講演))
- 6a-A-3 熱電半導体Bi_2Te_Se_ へのSbI_3添加効果
- N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較
- カルコパイライト型半導体CuGaSe_2薄膜の圧電素子 : 光音響分光法による評価
- ポリエチレングリコールの分子量を変化させたチタニア多孔質薄膜の光学的特性比較
- PA25 光音響分光法によるGaAsウエハのEL2の面分布の測定(ポスターセッションA)
- A3 近赤外領域におけるGaAs中の深い準位による光音響スペクトル
- 分子線エピタキシャル成長n-GaAs薄膜の光音響スペクトル
- P1-31 圧電素子光熱分光法とフォトルミネッセンス法による4H-SiC単結晶中の欠陥評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- C-6-4 GeSe_2ガラスの核生成過程における2段階等温アニール効果
- カルコパイライト型半導体CuGaSe_2薄膜のGaAs基盤の影響
- カルコパイライト型半導体CuInS_2単結晶の光学特性
- 24aT-6 光照射型DSCによるGeSe_2ガラスの核形成及び成長過程における光の効果
- 25pL-7 カルコゲナイド系アモルファス半導体
- 見かけの活性化エネルギーの組成依存性によるカルコゲナイドガラスのガラス転移の研究
- カルコパイライト型半導体CuInSe_x(1.5
- 圧電素子 : 光音響スペクトルにおけるGaAs禁制帯近くの信号変化の解析
- PC2 圧電素子-光音響分光法、フォトルミネッセンス法によるCuIn_xGa_Se_2結晶の光学的評価(光-超音波エレクトロニクス,ポスターセッション1)
- 1Pa-8 圧電素子光熱分光法による多結晶シリコンp-n接合界面における熱エネルギー損失評価(ポスターセッション)
- P1-30 半絶縁性GaAs中のホールトラップ準位評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- C-6-8 圧電素子-光熱分光法による半導体中深い準位評価 : 半絶縁性GaAs中のホールトラップ準位
- C-6-7 圧電素子-光熱信号の温度依存性解析による半絶縁GaAs結晶中の深い電子準位の評価
- C-6-6 圧電素子-光熱信号の温度依存性による半絶縁性GaAs中の深い準位検出
- P2-22 圧電素子光熱信号の温度依存性によるn型Si中の深い準位の評価(ポスターセッション2,ポスター発表)
- P1-24 圧電素子-光熱信号の温度依存性による半絶縁性GaAs中の深い準位検出(ポスターセッション1,ポスター発表)
- アルカリハロゲン化物を添加したTmドープカルコゲナイドガラスの発光特性
- Investigation of carrier recombination processes in GaAs/AlAs multiple quantum wells using piezoelectric photothermal and surface photovoltage techniques (Special issue: Ultrasonic electronics)
- C-4-1 フォトルミネッセンス法による InGaAlP の Zn 不純物の評価
- C-6-9 圧電素子-光熱信号の温度依存性によるNiを拡散させたn型Siの深い準位の評価
- フォトルミネッセンス法による高濃度SiドープGaAsのバンドギャップとフェルミエネルギーの決定
- P1-29 圧電素子光熱分光法によるInAlPにおけるドーパント効果の評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- ポリエチレングリコールの分子量を変化させたチタニア多孔質薄膜の光学的特性比較
- N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較
- ダイヤモンド様炭素のPPT及びPLスペクトルに対するsp3/sp2比の影響
- 光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究
- P1-28 InGaAlP-LEDにおける圧電素子光熱信号発生メカニズムの解明(ポスターセッション1,ポスター発表)
- P1-25 圧電素子光熱分光法によるInGaAlP-LED活性層におけるZn拡散の影響評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- P1-27 圧電素子光熱分光法によるInGaAlP-LEDのクラッド層InAlPの影響評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- C-4-4 InGaAlP-LED における圧電素子光熱信号発生メカニズムの解明
- C-4-3 InGaAlP-LED の圧電素子光熱スペクトルにおけるブラッグ型反射層の影響
- C-4-2 圧電素子-光熱分光法による InGaAlP - LED 活性層における Zn 拡散の影響評価
- 8a-S-12 圧電素子-光音響分光法(P-PAS)を用いた, シリコンの熱処理に伴うサーマルドナー形成の評価
- 2Pa1-3 連続成膜法によるCIGS薄膜の光熱変換分光法を用いたバンドギャップの評価(ポスターセッション)
- P2-20 CoをドープしたZnOの圧電素子光熱分光スペクトル(ポスターセッション2,ポスター発表)
- 26p-YE-8 カルコゲナイド系アモルフォス半導体GeSe_2の降温過程における構造変化過程
- 26p-YE-7 アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化における波長依存性
- 26p-YE-6 アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化における温度および時間依存性
- 6a-E-8 低温におけるGaAs中の深い準位EL2に起因する光励起準安定状態
- 5a-A-9 アモルファスGe-Seの昇温結晶化過程の組成依存性
- 5a-A-8 アモルファス半導体GeSe_2の昇温および降温過程における構造変化
- PPT法を用いた多結晶p-nシリコンの結晶粒界割合と発電特性に関する研究
- PPT法とPL法を用いたダイヤモンド様炭素の光学ギャップ温度依存性の研究
- Si(111)表面へのIII族供給によるGaAs薄膜中の回転双晶軽減
- 原料供給シーケンスの違いが原子層エピタキシー法によるGaAsN薄膜成長に与える影響
- PR及びPL法によるシリコン基板上に成長させた窒化ガリウムの光学的特性に対する歪の影響