福山 敦彦 | 宮崎大学 工学研究科 材料物理工学科

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 福山 敦彦

  宮崎大工

• 碇 哲雄

  宮崎大学 工学部 電気電子工学科

• 福山 敦彦

  宮崎大学 工学研究科 材料物理工学科

• 伊藤 敦史

  宮崎大学 工学部 電気電子工学科

• 泰地 善仁

  宮崎大学 工学部 電気電子工学科

• 佐藤 庄一郎

  宮崎大学 工学部 電気電子工学科

• 河村 昌和

  宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻

• 多田 真樹

  宮崎大学工学研究科物質工学専攻

• 大田 将志

  宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻

• 今井 謙治

  宮崎大工学部

• 境 健太郎

  宮崎大学 機器分析センター

• 前田 幸治

  宮崎大学 工学部 電気電子工学科

• 境 健太郎

  宮崎大産学連携センター

• 多田 真樹

  宮崎大学 工学研究科 材料物理工学科

• 大田 将志

  宮崎大学 工学部 電気電子工学科

• 多田 晋

  宮崎大学 工学部 材料物理工学科

• Sakai K

  宮崎大

• 河村 昌和

  宮崎大学 工学部 電気電子工学科

• 今井 謙治

  宮崎大学 工学部 電気電子工学科

• 野中 直哉

  宮崎大学 工学部 電気電子工学科

• 山部 英輝

  宮崎大学 工学部 材料物理工学科

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著作論文

• C-6-8 圧電素子-光熱分光法による半導体中深い準位評価 : 半絶縁性GaAs中のホールトラップ準位
• C-6-7 圧電素子-光熱信号の温度依存性解析による半絶縁GaAs結晶中の深い電子準位の評価
• C-6-6 圧電素子-光熱信号の温度依存性による半絶縁性GaAs中の深い準位検出
• C-4-1 フォトルミネッセンス法による InGaAlP の Zn 不純物の評価
• C-6-9 圧電素子-光熱信号の温度依存性によるNiを拡散させたn型Siの深い準位の評価
• C-4-4 InGaAlP-LED における圧電素子光熱信号発生メカニズムの解明
• C-4-3 InGaAlP-LED の圧電素子光熱スペクトルにおけるブラッグ型反射層の影響
• C-4-2 圧電素子-光熱分光法による InGaAlP - LED 活性層における Zn 拡散の影響評価

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