境 健太郎 | 宮崎大産学連携センター
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概要
関連著者
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境 健太郎
宮崎大産学連携センター
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福山 敦彦
宮崎大工
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碇 哲雄
宮崎大工
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Sakai K
宮崎大
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碇 哲雄
宮崎大学工学部電気電子工学科
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横山 宏有
宮崎大学工学部電気電子工学科
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吉野 賢二
宮崎大学工学部
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前田 幸治
宮崎大学工学部電気電子工学科
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境 健太郎
宮崎大学工学部機器分析センター
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福山 敦彦
宮崎大学工学部材料物理工学科
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植本 隆在
宮崎大工
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田村 仁
宮崎大工
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福山 敦彦
宮崎大・工
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碇 哲雄
宮崎大・工
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横山 宏有
宮崎大工
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前田 幸治
宮崎大工
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境 健太郎
宮崎大工
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吉野 賢二
宮崎大学工学部電気電子工学科
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甲斐 康之
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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境 健太郎
宮崎大・工
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吉野 賢二
宮崎大工
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碇 哲雄
宮崎大学工学部
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福山 敦彦
宮崎大学工学部
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水本 卓
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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境 健太郎
宮崎大産連セ
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矢野 伊織
宮崎大学工学研究科応用物理学専攻
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井上 麻衣子
宮崎大学工学研究科応用物理学専攻
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境 健太郎
宮崎大学産学連携センター
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多田 真樹
宮崎大学工学研究科物質工学専攻
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大田 将志
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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境 健太郎
宮崎大・機器分析
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境 健太郎
宮崎大学 機器分析センター
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前田 幸治
宮崎大学 工学部 電気電子工学科
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碇 哲雄
宮崎大学 工学部 電気電子工学科
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前田 幸治
宮崎大・工
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豊田 太郎
電気通信大学
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壹岐 俊洋
宮崎大工
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宮本 達弥
宮崎大工
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黒木 貴裕
宮崎大工
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岩本 朋久
九工大情報工学研究院
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古川 昌司
九工大情報工学研究院
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王 萍
宮大工
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境 健太郎
宮大工
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福山 敦彦
宮大工
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碇 哲雄
宮大工
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宮本 達弥
宮崎大学工学部材料物理工学科
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有村 光生
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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當瀬 智之
宮崎大学工学部材料物理工学科
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福嶋 晋一
宮崎大物質エネルギー工学
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碇 哲雄
宮崎大物質エネルギー工学
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福山 敦彦
宮崎大物質エネルギー工学
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境 健太郎
宮崎大物質エネルギー工学
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河村 昌和
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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王 萍
宮崎大学工学研究科物質工学専攻
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境 健太郎
宮崎大学フロンティア科学実験センター
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王 萍
宮崎大・工
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多田 真樹
宮崎大・工
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大田 将志
宮崎大・工
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古川 昌司
九州工業大学
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吉野 賢二
宮崎大 工
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碇 哲雄
宮崎大 工
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多田 晋
宮崎大・工
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甲斐 康之
宮崎大学 工学部 電気電子工学科
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横山 宏有
宮崎大学 工学部 電気電子工学科
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杉之原 貴洋
宮崎大学工学部電気電子工学専攻
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境 健太郎
宮崎大学機器分析センター
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東平 真人
宮崎大工
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吉野 賢二
宮崎大・工
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福山 敦彦
宮崎大学 工学研究科 材料物理工学科
-
多田 晋
宮崎大学 工学部 材料物理工学科
-
東平 真人
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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河村 昌和
宮崎大学 工学部 電気電子工学科
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豊田 太郎
電通大・電通
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植本 隆在
宮崎大学工学部
著作論文
- Ge-Se系ガラスの結晶化過程の組成依存性
- 2P1-11 光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究(ポスターセッション)
- 高感度光吸収係数測定を目的とした一定光電流実験手法の構築
- sp3/sp2比によるダイヤモンド様炭素薄膜の光学的特性変化
- 非破壊検査 非発光遷移検出によるポリジヘキシルシランの光分解性評価--圧電素子光熱分光法による有機ポリシランの研究
- 1P2a-4 非発光遷移検出によるポリジへキシルシランの光分解性評価(ポスターセッション)
- 1J2a-2 光熱分光法と表面光起電力法によるGaAs/AlAs-MQWの電子遷移過程の研究(測定技術)
- 圧電素子光熱分光法によるチタニア薄膜の光学的特性の研究
- AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される2次元電子ガスの光学的特性
- 1-04P-21 GaInNAs/GaAs SQWからの光励起されたキャリアの漏れの検出(ポスターセッション 1)
- 製膜速度による微結晶シリコン薄膜の圧電素子光熱分光スペクトル変化
- 非破壊検査 圧電素子光熱分光法による微結晶シリコン薄膜の光吸収スペクトル
- P2-E-32 圧電素子光熱分光法による微結晶シリコン薄膜の光吸収スペクトル(光-超音波・光音響法,ポスターセッション2(概要講演))
- P1-31 圧電素子光熱分光法とフォトルミネッセンス法による4H-SiC単結晶中の欠陥評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- 熱処理によるGeSe_2ガラスの結晶核生成過程の研究
- C-6-4 GeSe_2ガラスの核生成過程における2段階等温アニール効果
- GeSe_2ガラスの熱結晶化過程のアニール条件依存性
- 25pL-7 カルコゲナイド系アモルファス半導体
- 25pL-5 カルコゲナイド系アモルファスGeSe_2の光誘起および熱による結晶化過程
- 1Pa-8 圧電素子光熱分光法による多結晶シリコンp-n接合界面における熱エネルギー損失評価(ポスターセッション)
- C-4-1 フォトルミネッセンス法による InGaAlP の Zn 不純物の評価
- C-6-5 Ge-Se系における新しい結晶相のラマンスペクトルによる確認
- ポリエチレングリコールの分子量を変化させたチタニア多孔質薄膜の光学的特性比較
- ダイヤモンド様炭素のPPT及びPLスペクトルに対するsp3/sp2比の影響
- 光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究
- サマリウムを添加したバリウム硫化物の光およびX線励起による発光特性
- 高分解能X線回折法によるGaAs(001)上のフッ化物混晶膜の結晶評価
- P2-20 CoをドープしたZnOの圧電素子光熱分光スペクトル(ポスターセッション2,ポスター発表)
- 26p-YE-8 カルコゲナイド系アモルフォス半導体GeSe_2の降温過程における構造変化過程
- 26p-YE-7 アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化における波長依存性
- 26p-YE-6 アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化における温度および時間依存性
- 5a-A-9 アモルファスGe-Seの昇温結晶化過程の組成依存性
- 5a-A-8 アモルファス半導体GeSe_2の昇温および降温過程における構造変化
- 高分解能X線回折法によるGaAs基板上のフッ化物薄膜結晶の評価
- PPT法とPL法を用いたダイヤモンド様炭素の光学ギャップ温度依存性の研究
- アモルファスGeSe_2の熱による結晶化過程