碇 哲雄 | 宮崎大学工学部電気電子工学科
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概要
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碇 哲雄
宮崎大学工学部電気電子工学科
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前田 幸治
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福山 敦彦
宮崎大工
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碇 哲雄
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境 健太郎
宮崎大産学連携センター
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宮崎大学工学部
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境 健太郎
宮崎大学工学部機器分析センター
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Sakai K
宮崎大
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西本 雅之
宮崎大学工学部
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小山 哲史
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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木下 綾
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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小牧 弘典
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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碇 哲雄
宮崎大学 工学部 電気電子工学科
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西本 雅之
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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小嶋 稔
宮崎大学工学部
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白幡 泰浩
宮崎大学工学部電気電子工学科
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松尾 整
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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水本 卓
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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甲斐 康之
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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矢野 伊織
宮崎大学工学研究科応用物理学専攻
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井上 麻衣子
宮崎大学工学研究科応用物理学専攻
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境 健太郎
宮崎大学産学連携センター
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丸岡 大介
宮崎大学工学部
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二神 光次
宮崎大 工
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二神 光次
九州産業大学工学部
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二神 光次
宮崎大学工学部電気工学科
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三谷 直司
宮崎大学電気電子工学専攻
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小野瀬 宏
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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加藤 真弘
宮崎大学工学部電気電子工学科
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野本 恵太
宮崎大学工学部電気電子工学科
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掛野 崇
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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福嶋 貴志
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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大牟田 真吾
宮崎大学工学部電気電子工学科
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赤木 洋二
都城高専電気工学科
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三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
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宮本 達弥
宮崎大学工学部材料物理工学科
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有村 光生
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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當瀬 智之
宮崎大学工学部材料物理工学科
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河村 昌和
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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王 萍
宮崎大学工学研究科物質工学専攻
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多田 真樹
宮崎大学工学研究科物質工学専攻
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大田 将志
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
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境 健太郎
宮崎大学フロンティア科学実験センター
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中島 信一
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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田中 英彦
物質・材料研究機構物質研究所
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杉山 耕一
三重大学工学部
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野村 崇
宮崎大工
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野村 崇
宮崎大学
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小野瀬 宏
宮崎大学
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山下 真郷
宮崎松下電器(株)
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田中 英彦
物質・材料研究機構
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東 浩司
宮崎大学工学研究科電子工学専攻
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今井 孝彦
宮崎大学
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江口 豊
宮崎大学工学部電気電子工学科
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川原 正和
宮崎大学工学部
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丸岡 大介
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赤木 洋二
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(独)物質・材料研究機構
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原山 誠
宮崎大学工学部
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植本 隆在
宮崎大学工学部
著作論文
- ITO透明導電膜のスプレー法による作成と評価
- ホットプレス法によるAgInSe2バルク結晶の結晶成長
- スプレー熱分解法 ZnO系透明導電膜の作成とアニール効果
- AgGaSe2バルク結晶のフォトルミネッセンス特性
- スプレー熱分解法で作成したIn-doped ZnO薄膜の熱処理による光学的、電気的性質
- ホットプレス法によるAgGaSe2バルク結晶の成長
- カルコパイライト型半導体AgGaSe2の組成依存性
- 陽子線を照射したカルコパイライト型化合物半導体CuInSe_2薄膜の圧電素子光熱分光スペクトル(研究論文編)
- 無添加およびSb添加カルコパイライト型化合物半導体CuInS_2薄膜の作製および評価(研究論文編)
- 真空蒸着法によるAgGaSe2薄膜作成と評価
- スパッタリング法によるZnO系薄膜の作成および酸素分圧依存性
- V族元素添加CuInS_2結晶のホットプレス成長
- Ge-Se系ガラスの結晶化過程の組成依存性
- 圧電素子光熱分光法によるチタニア薄膜の光学的特性の研究
- AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される2次元電子ガスの光学的特性
- 圧電素子光熱分光法による半導体薄膜の評価
- フォトルミネッセンス分光法によるIII-V族化合物半導体InGaAlPの評価
- 製膜速度による微結晶シリコン薄膜の圧電素子光熱分光スペクトル変化
- 6a-A-3 熱電半導体Bi_2Te_Se_ へのSbI_3添加効果
- カルコパイライト型半導体CuGaSe_2薄膜の圧電素子 : 光音響分光法による評価
- 30a-S-8 CuInSe_2、CuIn_3Se_5、Cu_2In_4Se_7結晶の光学的評価
- サーマルドナーによるCZ成長p型Siの電気的特性の変化
- p型シリコン中に存在する不純物準位の室温における光音響スペクトル
- ホットプレス法で作製した熱電半導体CoSb_3の作製条件の相違によるキャリア輸送特性への影響
- 熱処理によるGeSe_2ガラスの結晶核生成過程の研究
- C-6-3 ホットプレス法によるカルコパイライト型半導体V族添加CuInS_2結晶の結晶成長と評価
- ホットプレス法によるカルコパイライト型半導体CuInS_2結晶の結晶成長と評価
- GeSe_2蒸着薄膜の熱アニールによる構造変化の研究
- カルコパイライト型半導体CuGaSe_2薄膜のGaAs基盤の影響
- GeSe_2ガラスの熱結晶化過程のアニール条件依存性
- カルコパイライト型半導体AgIn(S_xSe_)_2結晶の結晶成長と評価
- カルコパイライト型半導体CuInS_2単結晶の光学特性
- 見かけの活性化エネルギーの組成依存性によるカルコゲナイドガラスのガラス転移の研究
- カルコパイライト型半導体CuInSe_x(1.5
- 圧電素子 : 光音響スペクトルにおけるGaAs禁制帯近くの信号変化の解析
- アルカリハロゲン化物を添加したTmドープカルコゲナイドガラスの発光特性
- ラマン分光法によるSiCセラミックス焼結体におけるポリタイプの研究
- Bi-Te系熱電半導体のSbI_3によるキャリア制御
- フォトルミネッセンス法による高濃度SiドープGaAsのバンドギャップとフェルミエネルギーの決定
- Er添加カルコゲナイドガラスのフォトルミネッセンス法による評価
- C-6-5 Ge-Se系における新しい結晶相のラマンスペクトルによる確認
- ポーラスシリコンの可視発光メカニズム
- 8a-S-12 圧電素子-光音響分光法(P-PAS)を用いた, シリコンの熱処理に伴うサーマルドナー形成の評価
- 26p-YE-8 カルコゲナイド系アモルフォス半導体GeSe_2の降温過程における構造変化過程
- 5a-A-8 アモルファス半導体GeSe_2の昇温および降温過程における構造変化