ITO透明導電膜のスプレー法による作成と評価

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概要

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• Sn-doped In2O3 (ITO) films were deposited by conventional spray pyrolysis method at 500℃ in air. All ITO films had polycrystalline structure of indium oxide with oriented planes of (222), (400), (440) and (622). The grain size was from 40 to 30 nm with increasing Sn concentration (0-5 mol%). The film structure and electrical resistivity were depended on Sn concentration. The resistivity decreased from 0 to 3 mol% and increased from 3 to 5 mol% of Sn concentration. A resistivity of 3.7×10-2 Ωcm, a carrier concentration of 4.1×1019 cm-3, a mobility of 5.0 cm2/Vs in the 3 mol% (Sn) at RT. The optical transmittance was more than 80 % in the visible range of the spectrum at RT.

• 宮崎大学の論文
• 2008-08-30

著者

• 小嶋 稔

  宮崎大学工学部

• 吉野 賢二

  宮崎大学工学部

• 小山 哲史

  宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻

• 加藤 真弘

  宮崎大学工学部電気電子工学科

• 碇 哲雄

  宮崎大学工学部電気電子工学科

• 碇 哲雄

  宮崎大工

• 吉野 賢二

  宮崎大学工学部電気電子工学科

• 碇 哲雄

  宮崎大学工学部

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