RFスパッタ法により作成したIrSnO2薄膜の基板温度依存性
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概要
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IrSnOx thin film has been respected as electrochromic. We studied physical property of IrSnOx thin films were deposited onto glass substrate by reactive R.F. sputtering using 2 kinds of SnO2 and Ir targets. Substrate temperature was ranging from room-temperature to 200 ℃. X-ray diffraction pattern indicated crystallization at 100 ℃, and identified IrSnO2 thin films as tetragonal rutile type structure. It was assumed that the changing valence of IrOx could be enhanced to a transmittance and electrical resistivity.
- 宮崎大学の論文
- 2010-09-30
著者
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