原子層エピタキシー法を用いた超高効率多接合型太陽電池用材料(In)GaAsNの開発
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概要
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(In)GaAsNは超高効率多接合型太陽電池用材料として期待されているが、N起因の欠陥やN原子の不均一な分布の為十分な特性が得られていない。我々は、これまでに結晶成長中の表面構造を制御する事で高品質化が期待出来る事を示してきた。そこで、成長中の表面をより精密に制御可能な原子層エピタキシー(ALE)法に注目し、高品質な(In)GaAsN薄膜に取り組んでいる。今回は、ALE成長に不可欠な自動停止機構に有効な成長条件探索の結果及び残留不純物混入過程に関して報告を行う。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-07-25
著者
-
碇 哲雄
宮崎大工
-
福山 敦彦
宮崎大学工学部材料物理工学科
-
原口 智宏
宮崎大学工学部教育研究支援技術センター
-
鈴木 秀俊
宮崎大学IR推進機構
-
碇 哲雄
宮崎大学工学部
-
山内 俊浩
宮崎大学IR推進機構
-
福山 敦彦
宮崎大学工学部
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