CZ-Si単結晶中の熱処理に伴う酸素析出挙動
スポンサーリンク
概要
著者
-
福山 敦彦
宮崎大学工学部材料物理工学科
-
福山 敦彦
宮崎大学工学部物質工学科
-
福森 太一郎
宮崎大学工学部応用物理学科
-
藤原 義友
宮崎大学工学研究科応用物理学専攻
-
福森 太一郎
宮崎大学工学部材料物理工学科
関連論文
- 圧電素子光熱分光法によるチタニア薄膜の光学的特性の研究
- AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される2次元電子ガスの光学的特性
- 圧電素子光熱分光法による半導体薄膜の評価
- フォトルミネッセンス分光法によるIII-V族化合物半導体InGaAlPの評価
- 製膜速度による微結晶シリコン薄膜の圧電素子光熱分光スペクトル変化
- カルコパイライト型半導体CuGaSe_2薄膜の圧電素子 : 光音響分光法による評価
- 30a-S-8 CuInSe_2、CuIn_3Se_5、Cu_2In_4Se_7結晶の光学的評価
- Ni_65Cr_16P_19アモルファス合金のスパッタ薄膜における結晶化過程の電子顕微鏡観察
- 窒素イオン注入Si及びSi酸化膜端に生じる格子欠陥の観察と評価
- X線トポグラフィによるSi結晶表面下の格子歪の解析
- 低エネルギーNイオン注入Siのアニール効果と表面格子歪の評価
- Al-Cu希薄合金の急冷2次欠陥の形成
- X線2結晶トポグラフィによるGaAsウエハ-の格子歪みの観察
- 非晶質Ni81-P19合金の結晶化過程における機械的性質
- 透過電子顕微鏡の性能検査結果
- X線回折強度曲線の測定によるGaAsウエハ-の熱処理効果
- Cukα2重線を用いた2結晶法によるGaAs結晶の格子定数の精密測定
- Si中に拡散したCoの電子顕微鏡による観察
- Cu Kα Doubletを用いた非対称反射平行配置による格子定数の測定
- Cu Kα Doubletを用いた単結晶対称反射による格子定数測定法
- Cu Kα Doubletによる格子定数の測定法
- カルコパイライト型半導体CuGaSe_2薄膜のGaAs基盤の影響
- カルコパイライト型半導体CuInS_2単結晶の光学特性
- 見かけの活性化エネルギーの組成依存性によるカルコゲナイドガラスのガラス転移の研究
- カルコパイライト型半導体CuInSe_x(1.5
- 圧電素子 : 光音響スペクトルにおけるGaAs禁制帯近くの信号変化の解析
- シリコン結晶中の欠陥形成に及ぼす高温熱処理効果
- パルスレーザー照射によるシリコン結晶の強化
- パルスレーザー照射欠陥のゲッタリング能力評価
- (+,+)配置連続反射のX線モノクロメータ・システム
- ウルトラミクロトームによる透過型電子顕微鏡試料の作成
- CZ-Si単結晶中の熱処理に伴う酸素析出挙動
- シリコン中の酸素析出物と観察
- Kα2重線を用いた格子定数の精密測定法
- シリコン(Si)表面に形成されたDenuded Zone境界の格子定数の変化
- 化学的気相成長法窒化膜によるSi結晶中の格子欠陥の研究
- X線回折法による不純物拡散シリコン結晶の格子歪の解析
- シリコン結晶中の酸素析出に伴う格子欠陥の観察
- X線回析による非晶質合金(Ni_81P_19)の動的結晶化過程の解析
- 微小角入射X線トポグラフィによる(100)Si表面の格子歪の観察と評価
- 全反射臨界角近傍でのX線回折法によるシリコン結晶中の微小格子歪の観察・評価
- 黒鉛-ブロム系のHall効果I : 半導体 : 輸送
- 8a-S-12 圧電素子-光音響分光法(P-PAS)を用いた, シリコンの熱処理に伴うサーマルドナー形成の評価
- 26p-YE-8 カルコゲナイド系アモルフォス半導体GeSe_2の降温過程における構造変化過程
- 6a-E-8 低温におけるGaAs中の深い準位EL2に起因する光励起準安定状態
- 5a-A-8 アモルファス半導体GeSe_2の昇温および降温過程における構造変化
- 原子層エピタキシー法を用いた超高効率多接合型太陽電池用材料(In)GaAsNの開発