パルスレーザー照射欠陥のゲッタリング能力評価
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概要
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The pulse laser gettering, which is cleaner and more flexible processing, is investigated. Thegettering power of the pulse laser induced defects is investigated by ESCA and SEM equippedwith EDX. To examine the amount of Cu atoms at several depths in the wafers annealed at from700°C to 1000°C after pulse laser irradiation, gettered amount of Cu is precisely mapped alongthe depth. In the wafer annealed at 700°C, Cu atoms are gettered only at the depth of 300 μmfrom the surface. The annealing at elevated temperatures decrease the amount of Cu at 300 μmand increase the amount at the shallower and the deeper depths, especially the deeper. And it isshown that the annealing at 1000°C can induce considerable gettering at the depth of 200 f1 m,which may be favorable for the fabrication.
- 宮崎大学の論文
著者
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明石 義人
宮崎大学工学部
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黒木 正子
宮崎大学工学部応用物理学科
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福森 太一郎
宮崎大学工学部応用物理学科
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明石 義人
宮崎大学工学部材料物理工学科
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椛島 唯士
宮崎大学工学研究科物質工学専攻
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福森 太一郎
宮崎大学工学部材料物理工学科
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