窒素イオン注入Si及びSi酸化膜端に生じる格子欠陥の観察と評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Abstract The damage generated by nitrogen ion implantation into silicon wafer was recovered by heat treatment, and research of seeing the recovery process was done. Lattice defects at the edges of the nitrogen ion implanted region and of oxide film were observed by TEM(Transmission Electron Microscope) after the heat-treatment. At the edge of the implanted region segregations, may be nitrides, were observed, while at the edge of the oxide film dislocations concentrated along a line were observed. The number of dislocations observed at the film edge were decreased with annealing temperature, and only a few dislocations were observed in the specimen annealed at 550℃.
- 宮崎大学の論文
- 2006-08-30
著者
-
明石 義人
宮崎大学工学部
-
黒木 正子
宮崎大学工学部応用物理学科
-
福森 太一郎
宮崎大学工学部応用物理学科
-
二神 光次
宮崎大 工
-
二神 光次
九州産業大学工学部
-
木原 幸太郎
宮崎大学工学研究科物質工学専攻
-
明石 義人
宮崎大学工学部材料物理工学科
-
福森 太一郎
宮崎大学工学部材料物理工学科
関連論文
- 原子クラスター過程のモンテカルロシミュレーション
- Ni_65Cr_16P_19アモルファス合金のスパッタ薄膜における結晶化過程の電子顕微鏡観察
- J-2 光音響分光法による半絶縁性GaAsのフォトクエンチング効果の熱的回復の測定(J.光音響技術)
- PB-24 Siウェハーの極低温光音響スペクトル(P.ポスターセッションB-概要講演・展示)
- PA26 シリコンの光音響スペクトルに対するアニーリング効果(ポスターセッションA)
- PA25 光音響分光法によるGaAsウエハのEL2の面分布の測定(ポスターセッションA)
- サーマルドナーによるCZ成長p型Siの電気的特性の変化
- p型シリコン中に存在する不純物準位の室温における光音響スペクトル
- A3 近赤外領域におけるGaAs中の深い準位による光音響スペクトル
- アモルファスNi65Cr16P19における昇温アニールの結晶化過程
- 分子線エピタキシャル成長n-GaAs薄膜の光音響スペクトル
- GaAsの試料厚さによる光音響スペクトルの変化
- 酸化物高温超伝導体(YBa2Cu3O7-y)の電気抵抗の温度及び磁場依存性
- 窒素イオン注入Si及びSi酸化膜端に生じる格子欠陥の観察と評価
- X線トポグラフィによるSi結晶表面下の格子歪の解析
- 低エネルギーNイオン注入Siのアニール効果と表面格子歪の評価
- X線異常透過法によるGaAsウエハ-の熱処理効果
- Al-Cu希薄合金の急冷2次欠陥の形成
- X線2結晶トポグラフィによるGaAsウエハ-の格子歪みの観察
- 非晶質Ni81-P19合金の結晶化過程における機械的性質
- 透過電子顕微鏡の性能検査結果
- X線回折強度曲線の測定によるGaAsウエハ-の熱処理効果
- Cukα2重線を用いた2結晶法によるGaAs結晶の格子定数の精密測定
- Si中に拡散したCoの電子顕微鏡による観察
- Kα2重線を利用した格子定数測定法 (実験室でのEXAFS)
- Cu Kα Doubletを用いた非対称反射平行配置による格子定数の測定
- LiF単結晶のX線モアレ縞
- パソコン結晶儀
- Cu Kα Doubletを用いた単結晶対称反射による格子定数測定法
- Cu Kα Doubletによる格子定数の測定法
- 2a-M-13 SOR を用いたトポグラフ像のシミュレーションによる検討
- 31a-BF-2 ADP単結晶ちゅうの双晶による回折コントラスト
- 31a-BF-1 ADP単結晶中の転位構造
- 磁気浮上電極電離箱を用いた空気イオン計測(電気工学科)
- 低レベル放射線自動計測システムに用いられる磁気浮上装置(電気工学科)
- 各学部における公開講座の総括的検討 : その課題と展望
- シリコン結晶中の欠陥形成に及ぼす高温熱処理効果
- 10a-Z-3 ADP単結晶の干渉縞
- 11p-T-3 劈開クラック先端のX線トポグラフ (LiF)
- 1p-E-4 MgO 単結晶の X 線トポグラフィー
- パルスレーザー照射によるシリコン結晶の強化
- パルスレーザー照射欠陥のゲッタリング能力評価
- 大型磁気浮上電極電離箱の特性と環境放射線測定への応用
- (+,+)配置連続反射のX線モノクロメータ・システム
- ウルトラミクロトームによる透過型電子顕微鏡試料の作成
- CZ-Si単結晶中の熱処理に伴う酸素析出挙動
- パルスレーザー照射欠陥の観察(TEM)
- 30p-L-4 アモルファスGe_Se_の熱及び光誘起結晶
- パルスレーザー照射ゲッタリングのESCAによる評価
- パルスレーザー照射欠陥のTEM観察
- シリコン中の酸素析出物と観察
- Kα2重線を用いた格子定数の精密測定法
- レ-ザ照射による損傷 (樋口正一博士記念号)
- 10p-J-5 レーザ照射により生成した転位のX線トポグラフ
- 12a-K-7 劈開クラック先端のX線トポグラフII(LiF)
- 11p-T-4 蛍光X線を利用した疑コッセル線
- シリコン(Si)表面に形成されたDenuded Zone境界の格子定数の変化
- 3-224 新入生が最初に出会う講義の効果的な企画 : あたらしい試みの実践的検討((1)基礎科目の講義・演習-III)
- 化学的気相成長法窒化膜によるSi結晶中の格子欠陥の研究
- X線回折法による不純物拡散シリコン結晶の格子歪の解析
- シリコン結晶中の酸素析出に伴う格子欠陥の観察
- ビッカーズ硬度試験による金属の引張特性評価法
- X線回析による非晶質合金(Ni_81P_19)の動的結晶化過程の解析
- 微小角入射X線トポグラフィによる(100)Si表面の格子歪の観察と評価
- 全反射臨界角近傍でのX線回折法によるシリコン結晶中の微小格子歪の観察・評価
- 黒鉛-ブロム系のHall効果I : 半導体 : 輸送