低エネルギーNイオン注入Siのアニール効果と表面格子歪の評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Czochralski-grown Si(100) wafers with a stripe of oxide film are implanted by N+ accelerated at 8keV and at 1.5keV to the dose of 1xl0(15)cm-2 . Lattice distortions produced by the implantation are observed bythe X-ray reflection topography under simultaneously stimulated total reflection. The contrast caused by thelattice expansions is observed in the implanted region of as-implanted specimen. This contrast is disappearedafter the annealing at 700°C and the other contrast is appeared at the edge of the implanted region. This newcontrast is identified to be caused by the increase in lattice spacing from the systematic topographs takenaround the Bragg reflection. It is confirmed that the increase in lattice spacing can be recovered after the90min annealing at 700°C.
- 宮崎大学の論文
- 2006-08-30
著者
-
明石 義人
宮崎大学工学部
-
長友 秀樹
宮崎大学工学研究科物質工学専攻
-
黒木 正子
宮崎大学工学部応用物理学科
-
福森 太一郎
宮崎大学工学部応用物理学科
-
二神 光次
宮崎大 工
-
二神 光次
九州産業大学工学部
-
明石 義人
宮崎大学工学部材料物理工学科
-
福森 太一郎
宮崎大学工学部材料物理工学科
関連論文
- 原子クラスター過程のモンテカルロシミュレーション
- Ni_65Cr_16P_19アモルファス合金のスパッタ薄膜における結晶化過程の電子顕微鏡観察
- J-2 光音響分光法による半絶縁性GaAsのフォトクエンチング効果の熱的回復の測定(J.光音響技術)
- PB-24 Siウェハーの極低温光音響スペクトル(P.ポスターセッションB-概要講演・展示)
- PA26 シリコンの光音響スペクトルに対するアニーリング効果(ポスターセッションA)
- PA25 光音響分光法によるGaAsウエハのEL2の面分布の測定(ポスターセッションA)
- サーマルドナーによるCZ成長p型Siの電気的特性の変化
- p型シリコン中に存在する不純物準位の室温における光音響スペクトル
- A3 近赤外領域におけるGaAs中の深い準位による光音響スペクトル
- アモルファスNi65Cr16P19における昇温アニールの結晶化過程