カルコパイライト型半導体AgGaSe2の組成依存性
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概要
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Abstract AgGaSe2 thin film was deposited on glass substrates by vacuum evaporation method. The starting material was mixed Ag2Se and Ga2Se3 powders. Ag/Ga ratios were 1.5, 1.2, 1.O, 0.8, 0.7 and 0.4. The samples were annealed from 100 to 600 ℃ for 10 min. After these processes, single phase AgGaSe2 thin films could be obtained except Ag/Ga ratio of 0.4 at annealing temperature of 600 ℃. Ag-rich samples had large grain. On the other hand, Ga-rich samples had small grain. Furthermore, Ga-rich and Ag-rich samples indicated p-type and n-type because of Ag vacancy and Se vacancy, respectively.
- 宮崎大学の論文
- 2006-08-30
著者
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