ホットプレス法によるAgGaSe2バルク結晶の成長
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概要
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Bulk AgGaSe2 crystals were grown by a Hot-Press method. We mixed starting materials Ag2Se and Ga2Se3 powder for stoichiometric composition. Samples were grown under 25 MPa pressure at growth temperature from 400℃ to 700℃. Sizes of the samples ware 20mm in diameter and 5mm in thickness. All samples indicated porycrystalline and n-type conductivity. AgGaSe2 single phase was obtained at 700℃. The sample was slightly Ag-rich, Ga-poor and Se-poor. Therefore, the sample had interstitial Ag atom and/or Se vacancy.
- 宮崎大学の論文
- 2007-08-30
著者
-
吉野 賢二
宮崎大学工学部
-
碇 哲雄
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
木下 綾
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
-
野本 恵太
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
吉野 賢二
宮崎大学工学部電気電子工学科
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碇 哲雄
宮崎大学工学部
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