陽子線を照射したカルコパイライト型化合物半導体CuInSe_2薄膜の圧電素子光熱分光スペクトル(研究論文編)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Electron nonradiative relaxation through the proton-irradiation-induced defects in CuInSe_2 solar cell material were investigated by using a new developed piezoelectric photothermal spectroscopy (PPTS). Among the observed three peaks at 1.01, 0.93 and 0.84eV, it was concluded that the peak at 0.84eV was due to the proton-irradiation-induced defect. This is because this peak appeared after irradiation with the proton energy of 0.38MeV andthe fluence of 1×10^14cm^<-2>. The peaks at 1.01 and 0.93eV were attributed to free band edge exciton and intrinsic defect level, respectively. Theintensities for the latter two peaks were not affected by the irradiation. Since the irradiation defect was clearly observed at room temperature, we concluded that the PPTS technique was a very sensitive tool to study the defect level in the irradiated semiconductor thin-film solar cell structures.
- 都城工業高等専門学校の論文
著者
関連論文
- 太陽電池用透明導電膜の作製(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 太陽電池用透明導電膜の作製(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 太陽電池用透明導電膜の作製(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- スプレー熱分解法によるFTO系透明導電膜の作成
- FTO透明電極を使用した色素増感太陽電池の作成
- ITO透明導電膜のスプレー法による作成と評価
- ホットプレス法によるAgInSe2バルク結晶の結晶成長
- スプレー熱分解法 ZnO系透明導電膜の作成とアニール効果
- AgGaSe2バルク結晶のフォトルミネッセンス特性
- スプレー熱分解法で作成したIn-doped ZnO薄膜の熱処理による光学的、電気的性質
- ホットプレス法によるAgGaSe2バルク結晶の成長
- A-008 電子デバイスのものつくり課題探求実験(ポスター発表論文,(A)創造性を育む様々な取り組み)
- カルコパイライト型半導体AgGaSe2の組成依存性
- 陽子線を照射したカルコパイライト型化合物半導体CuInSe_2薄膜の圧電素子光熱分光スペクトル(研究論文編)
- 無添加およびSb添加カルコパイライト型化合物半導体CuInS_2薄膜の作製および評価(研究論文編)
- 真空蒸着法によるAgGaSe2薄膜作成と評価
- スパッタリング法によるZnO系薄膜の作成および酸素分圧依存性
- V族元素添加CuInS_2結晶のホットプレス成長
- Ge-Se系ガラスの結晶化過程の組成依存性
- 2P1-11 光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究(ポスターセッション)
- 高感度光吸収係数測定を目的とした一定光電流実験手法の構築
- sp3/sp2比によるダイヤモンド様炭素薄膜の光学的特性変化
- 非破壊検査 非発光遷移検出によるポリジヘキシルシランの光分解性評価--圧電素子光熱分光法による有機ポリシランの研究
- 圧電・超音波材料 GaAs/AlAs MQWにおける電子遷移の光学的研究--圧電素子光熱分光法と表面光起電力法による量子井戸評価
- 1P2a-4 非発光遷移検出によるポリジへキシルシランの光分解性評価(ポスターセッション)
- 1J2a-2 光熱分光法と表面光起電力法によるGaAs/AlAs-MQWの電子遷移過程の研究(測定技術)
- 圧電素子光熱分光法によるチタニア薄膜の光学的特性の研究
- AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される2次元電子ガスの光学的特性
- 1-04P-21 GaInNAs/GaAs SQWからの光励起されたキャリアの漏れの検出(ポスターセッション 1)
- L-2 圧電素子光熱分光法を用いたp-n接合シリコン界面におけるキャリア振る舞いの評価(光-超音波エレクトロニクス)
- 圧電素子光熱分光法による半導体薄膜の評価
- フォトルミネッセンス分光法によるIII-V族化合物半導体InGaAlPの評価
- 製膜速度による微結晶シリコン薄膜の圧電素子光熱分光スペクトル変化
- 非破壊検査 圧電素子光熱分光法による微結晶シリコン薄膜の光吸収スペクトル
- P2-E-32 圧電素子光熱分光法による微結晶シリコン薄膜の光吸収スペクトル(光-超音波・光音響法,ポスターセッション2(概要講演))
- 6a-A-3 熱電半導体Bi_2Te_Se_ へのSbI_3添加効果
- 6a-A-2 n型Bi_2Te_Se_熱電材料における電気的特性のドーパント依存性
- ホットプレス法で作成した AgInS2 結晶の Ag/In 比の依存性
- N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較
- カルコパイライト型半導体AgGaSe2結晶の禁制帯幅の温度依存性
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2の異方性熱物性値(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2の異方性熱物性値(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2の異方性熱物性値(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体AgGaSe_2結晶の光学評価による物性解析(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- カルコパイライト型半導体CuGaSe_2薄膜の圧電素子 : 光音響分光法による評価
- 30a-S-8 CuInSe_2、CuIn_3Se_5、Cu_2In_4Se_7結晶の光学的評価
- イオンプレーティング法により作成した Ga-doped ZnO 薄膜の熱処理効果
- J-2 光音響分光法による半絶縁性GaAsのフォトクエンチング効果の熱的回復の測定(J.光音響技術)
- PA26 シリコンの光音響スペクトルに対するアニーリング効果(ポスターセッションA)
- PA25 光音響分光法によるGaAsウエハのEL2の面分布の測定(ポスターセッションA)
- サーマルドナーによるCZ成長p型Siの電気的特性の変化
- p型シリコン中に存在する不純物準位の室温における光音響スペクトル
- A3 近赤外領域におけるGaAs中の深い準位による光音響スペクトル
- ホットプレス法で作製した熱電半導体CoSb_3の作製条件の相違によるキャリア輸送特性への影響
- P1-31 圧電素子光熱分光法とフォトルミネッセンス法による4H-SiC単結晶中の欠陥評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- 熱処理によるGeSe_2ガラスの結晶核生成過程の研究
- C-6-3 ホットプレス法によるカルコパイライト型半導体V族添加CuInS_2結晶の結晶成長と評価
- ホットプレス法によるカルコパイライト型半導体CuInS_2結晶の結晶成長と評価
- GeSe_2蒸着薄膜の熱アニールによる構造変化の研究
- カルコパイライト型半導体CuGaSe_2薄膜のGaAs基盤の影響
- GeSe_2ガラスの熱結晶化過程のアニール条件依存性
- カルコパイライト型半導体AgIn(S_xSe_)_2結晶の結晶成長と評価
- カルコパイライト型半導体CuInS_2単結晶の光学特性
- 24aT-6 光照射型DSCによるGeSe_2ガラスの核形成及び成長過程における光の効果
- 25pL-7 カルコゲナイド系アモルファス半導体
- 25pL-5 カルコゲナイド系アモルファスGeSe_2の光誘起および熱による結晶化過程
- 見かけの活性化エネルギーの組成依存性によるカルコゲナイドガラスのガラス転移の研究
- カルコパイライト型半導体CuInSe_x(1.5
- 圧電素子 : 光音響スペクトルにおけるGaAs禁制帯近くの信号変化の解析
- 1Pa-8 圧電素子光熱分光法による多結晶シリコンp-n接合界面における熱エネルギー損失評価(ポスターセッション)
- P1-30 半絶縁性GaAs中のホールトラップ準位評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- アルカリハロゲン化物を添加したTmドープカルコゲナイドガラスの発光特性
- ラマン分光法によるSiCセラミックス焼結体におけるポリタイプの研究
- Bi-Te系熱電半導体のSbI_3によるキャリア制御
- フォトルミネッセンス法による高濃度SiドープGaAsのバンドギャップとフェルミエネルギーの決定
- Er添加カルコゲナイドガラスのフォトルミネッセンス法による評価
- P1-29 圧電素子光熱分光法によるInAlPにおけるドーパント効果の評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
- C-6-5 Ge-Se系における新しい結晶相のラマンスペクトルによる確認
- 1-3-6[2]族化合物半導体CuInS2の異方性を持つ物性値の解析
- ポリエチレングリコールの分子量を変化させたチタニア多孔質薄膜の光学的特性比較
- スプレー熱分解法による低抵抗FTO系透明導電膜の作製
- スプレー熱分解法によるFTO系透明導電膜の膜厚依存性
- N添加によるGaAsN薄膜のバンド構造変化とバンド反交差モデルの比較
- ダイヤモンド様炭素のPPT及びPLスペクトルに対するsp3/sp2比の影響
- 光励起キャリア数を制御した圧電素子光熱変換分光法による半導体p-n接合界面の研究
- サマリウムを添加したバリウム硫化物の光およびX線励起による発光特性
- I-III-VI2族化合物半導体CuInS2の異方性を持つ物性値の解析
- スパッタ法によるIrSnO2の作製とエレクトロクロミック特性
- イオンプレーティング法により作成した Ga-doped ZnO 薄膜の熱処理効果
- RFスパッタ法により作成したIrSnO2薄膜の基板温度依存性
- P1-28 InGaAlP-LEDにおける圧電素子光熱信号発生メカニズムの解明(ポスターセッション1,ポスター発表)
- ポーラスシリコンの可視発光メカニズム
- 8a-S-12 圧電素子-光音響分光法(P-PAS)を用いた, シリコンの熱処理に伴うサーマルドナー形成の評価
- 2Pa1-3 連続成膜法によるCIGS薄膜の光熱変換分光法を用いたバンドギャップの評価(ポスターセッション)
- 26p-YE-8 カルコゲナイド系アモルフォス半導体GeSe_2の降温過程における構造変化過程
- 26p-YE-7 アモルファスGeSe_2の光誘起結晶化における波長依存性
- 5a-A-8 アモルファス半導体GeSe_2の昇温および降温過程における構造変化
- 透明導電膜 (特集 太陽電池部材)