L-2 圧電素子光熱分光法を用いたp-n接合シリコン界面におけるキャリア振る舞いの評価(光-超音波エレクトロニクス)
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概要
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Piezoelectric Photothermal Spectroscopy (PPTS) measurements of Si p-n junction were carried out at room temperature to investigate the carrier recombination processes at the interface. In addition to PPTS measurements, surface photo-voltage spectroscopy (SPVS) mesurerments were also done to separate the photo-voltage signal from the nonradiative carrier recombination signal. We found that PPTS and SPVS peaks were observed at the different photon energy positions. This means that PPTS could observe the electronic transition at the interface that could not be detected by the SPVS method. Usefulness of the present PPTS methodology is demonstrated.
- 超音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウム運営委員会の論文
- 2006-11-15
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