C-6-8 圧電素子-光熱分光法による半導体中深い準位評価 : 半絶縁性GaAs中のホールトラップ準位
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-20
著者
-
福山 敦彦
宮崎大工
-
多田 真樹
宮崎大学工学研究科物質工学専攻
-
伊藤 敦史
宮崎大学 工学部 電気電子工学科
-
碇 哲雄
宮崎大学 工学部 電気電子工学科
-
多田 真樹
宮崎大学 工学研究科 材料物理工学科
-
福山 敦彦
宮崎大学 工学研究科 材料物理工学科
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