伊藤 敦史 | 宮崎大学 工学部 電気電子工学科

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• 福山 敦彦

  宮崎大工

• 伊藤 敦史

  宮崎大学 工学部 電気電子工学科

• 福山 敦彦

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• 碇 哲雄

  宮崎大・工

• 碇 哲雄

  宮崎大学 工学部 電気電子工学科

• 伊藤 敦史

  宮崎大・工

• 福山 敦彦

  宮崎大学 工学研究科 材料物理工学科

• 佐藤 庄一郎

  宮崎大学 工学部 電気電子工学科

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  宮崎大学 工学部 材料物理工学科

• 佐藤 庄一郎

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• 大田 将志

  宮崎大学 工学部 電気電子工学科

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著作論文

• P1-30 半絶縁性GaAs中のホールトラップ準位評価(ポスターセッション1,ポスター発表)
• C-6-8 圧電素子-光熱分光法による半導体中深い準位評価 : 半絶縁性GaAs中のホールトラップ準位
• C-6-7 圧電素子-光熱信号の温度依存性解析による半絶縁GaAs結晶中の深い電子準位の評価
• C-6-6 圧電素子-光熱信号の温度依存性による半絶縁性GaAs中の深い準位検出
• P2-22 圧電素子光熱信号の温度依存性によるn型Si中の深い準位の評価(ポスターセッション2,ポスター発表)
• P1-24 圧電素子-光熱信号の温度依存性による半絶縁性GaAs中の深い準位検出(ポスターセッション1,ポスター発表)

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