原子層エピタキシー法により作製したGaAs薄膜の評価
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概要
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Homoepitaxial GaAs layers grown on GaAs(001) by atomic layer epitaxy(ALE) technic are investigated. Growth temperatures are at 460, 500 and 540℃. Carrer concentrations of films were evaluated by a hall measurement technic and the parameter of fitting from Raman spectrum assumed by coupled plasmon-LO-phonon modes. The hole concentration was a maximum value at 500℃ growth intensity of photoluminescence at 10K has a maximum at 500℃ growth film. Hull width at half maximum of the LO phonon mode in raman spectrum also showed at the minimum the temperature.The growth temperature is suitable at 500℃ for GaAs film by ALE.
- 宮崎大学の論文
- 2008-08-30
著者
-
前田 幸治
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
藤田 陽
宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻
-
川野 雅史
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
陣内 宏基
宮崎大学工学部電気電子工学科
-
尾関 雅志
宮崎大学工学部電気電子工学科
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