GaAs (001) 表面における塩化メチル分子の吸着過程

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概要

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• Abstract Adsorption process of methylchloride (CH3Cl) on GaAs(OO1) surface was studied by a scanning tunneling microscopy (STM) measurement. The arsenic rich 2x4 surface, which was prepared by molecular beam epitaxy (MBE), was exposed by CH3Cl at room temperature. A Iarge amount of adsorbates were observed in the STM image. It was suggested that CH3Cl molecule was preferentially adsorbed on B step on GaAs(OO1)-2x4 surface. The adsorption of CH3Cl molecule was also studied by ACF Hatree-Fock calculation, which well explained the CH3Cl adsorption model.

• 2006-08-30

著者

• 清水 雄一郎

  宮崎大学工学部電気電子工学科

• 尾関 雅志

  宮崎大学工学部電気電子工学科

• 岩佐 洋助

  宮崎大学工学研究科電気電子工学専攻

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