研磨AlN基板を用いたAlGaNの成長と評価(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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深紫外域用の受発光デバイスにおいて, 高AlNモル分率で, 転位密度が低いAlGaN膜が必要である.本研究では, 連続な斜面凹凸のあるエピタキシャルAlN基板を研磨して作製したAlNを下地として用いて, 減圧MOVPE法によりAlGaNの成長を行った.得られたAlGaNはクラックフリーで, AFM像から表面で明瞭な原子ステップを確認することができた.表面粗さRmsは20μm×20μmで8.4nmとなり, 凹凸AlN基板を下地として用いたAlGaN(Rms=12.4nm)よりも平坦性は改善された.また, 研磨AlN基板をアニールすることにより, Rmsは6.3nmと更に向上した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-07
著者
-
田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
-
平松 和政
三重大学大学院工学研究科
-
三宅 秀人
三重大学工学部電気電子工学科
-
平松 和政
三重大学工学部電気電子工学科
-
柴田 智彦
日本ガイシ
-
平松 和政
三重大 工
-
桑野 範之
九州大学産学連携センター
-
原口 雅也
九州大学総合理工学府
-
田中 光浩
日本ガイシ
-
劉 玉懐
三重大学工学部電気電子工学科
-
増田 規宏
三重大学工学部電気電子工学科
-
石賀 章
三重大学工学部電気電子工学科
-
柴田 智彦
日本ガイシ株式会社
-
平松 和政
三重大学工学部電子電気工学科
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