26aB02 凹凸AlNエピタキシャル基板を用いた高Alモル分率AlGaNの転位密度低減(窒化物(1),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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Thick AlGaN with high AlN molar fraction and low dislocation density has been grown on the rugged AlN by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy. The density of threading dislocation (TD) in AlGaN layer was 8.8×10^7cm^<-2>, which is two orders of magnitude lower than that of conventional AlGaN. The reduction of TD density is due to lateral growth of AlGaN on the rugged AlN.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
田中 光浩
日本ガイシ株式会社研究開発本部
-
平松 和政
三重大・工
-
柴田 智彦
日本ガイシ
-
平松 和政
三重大 工
-
三宅 秀人
三重大・工
-
田中 光浩
日本ガイシ
-
劉 玉懐
三重大学工学部電気電子工学科
-
石賀 章
三重大学工学部電気電子工学科
-
石賀 章
三重大・工
-
Liu Y.
SVBL
-
柴田 智彦
三重大・工
-
柴田 智彦
日本ガイシ株式会社
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