AlNバッファ層を用いたGaN/α-Al_2O_3のMOVPE : 成長初期過程及びバッファ層の効果 : エピタキシーI

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概要

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• 日本結晶成長学会の論文
• 1987-07-10

著者

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 天野 浩

  名大工

• 赤崎 勇

  名大工

• 平松 和政

  三重大学工学部電気電子工学科

• 小出 典克

  名古屋大学工学研究科

• 平松 和政

  三重大 工

• 平松 和政

  名大工

• 小出 典克

  名大工

• 沢木 宣彦

  名大工

• 小出 典克

  名古屋大学工学部電子工学科

• 澤木 宣彦

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• 沢木 宣彦

  名大・工

• 平松 和政

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