様々な面の4H-SiC上へのGaN結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)

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概要

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• 本研究では、MOVPE法を用いて、様々な面の4H-SiC基板上にGaNを成長させ,その結晶方位、表面平坦性、結晶性などについて研究を行った。その結果、実験を行った全ての面方位で基板とGaNのc軸の方位はそろって成長し、単結晶が得られた。また、X線回折によるGaN(0002)、(101^-0)のモザイク性は、 c軸候斜角に大きく依存していた。また、AlGaNのAlNモル分率や成長速度も依存することがわかった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2004-10-14

著者

• 岩谷 素顕

  名城大学理工学研究科

• 上山 智

  名城大学理工学研究科

• 天野 浩

  名城大学理工学研究科

• 赤崎 勇

  名城大学理工学研究科

• 春日井 秀紀

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 本塩 彰

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 三宅 泰人

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 飯田 一喜

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 川島 毅士

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 木下 博之

  (株)シクスオン

• 塩見 弘

  (株)シクスオン

• 塩見 弘

  シクスオン

• 北野 司

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 井村 将隆

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 仲野 清孝

  名城大学理工学研究科、21世紀COEプログラムナノファクトリー

• 木下 博之

  (株)シタスオン

• 塩見 弘

  (株)シタスオン

• 北野 司

  名城大学大学院・理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 川島 毅士

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 天野 浩

  名城大

• 本塩 彰

  名城大学理工学研究科 21世紀coe"ナノファクトリー

• 本塩 彰

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 飯田 一喜

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• 井村 将隆

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 三宅 泰人

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 春日井 秀紀

  名城大学大学院理工学研究科、21世紀coe"ナノファクトリー

• 春日井 秀紀

  名城大 大学院理工学研究科

• 三宅 泰人

  名城大 大学院理工学研究科

• 仲野 靖孝

  名城大学大学院 理工学研究科・21世紀coeナノファクトリー

• 赤崎 勇

  名城大学理工学部電機電子工学科

• 春日井 秀紀

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

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